Stromstoß-Umschalter (Flipflop mit nur 1 Taster)

[HaWe]

danke, das ist jetzt schon sehr viel Info, die ich erstmal sickern lassen muss.

Nochmal kurz daher zur Schaltung:
damit sie mir mit -9V nicht den Transistor zerstört, was wohl zwischendurch auftreten kann, soll ich also eine Diode von GND verkehrt herum an seine Basis legen, und dann werden es verträgliche - 5 - -6V ? Und dann passt alles?

Eine antiparallel eingesetzte Diode zur Basis-Emitter-Strecke löste dann das Problem.

Bild hier  

[Peter(TOO)]

damit sie mir mit -9V nicht den Transistor zerstört, was wohl zwischendurch auftreten kann, soll ich also eine Diode von GND verkehrt herum an seine Basis legen, und dann werden es verträgliche - 5 - -6V ? Und dann passt alles?

Bild hier  

Richtig, Anode kommt an Emitter (Masse) und die Kathode an die Basis.

Nein, es werden dann -0.7V, was aber dem Transistor auch bekömmlich ist! :-P
Also die Spannung an der Basis bewegt sich dann nur zwischen etwa +0.7V und -0.7V.

Noch etwas zur Halbleiterphysik:
Wenn die Raumladungszone angenommene 1µm beträgt, muss diese, mit 5V an der Basis, eine Isolationsfestigkeit von 5kV/mm haben.
Durch die hohe Feldstärke kommt es zu Ionenwanderungen und die Dotierungs-Atome verlagern sich im Kristall, wodurch dann, vor allem, die Verstärkung des Transistors abnimmt.

Das moderne CMOS Prozessoren, im Kern, nur mit Spannungen um 1 V arbeiten, hat vor allem mit der Isolationsfestigkeit zu tun. Die Gate-Isolation besteht aus Siliziumdioxyd ein hervorragender Isolator mit einer Isolationsfestigkeit von 400-1'000kV/mm, aber bei Dicken im Nanometer-Bereich bleibt da nicht mehr viel übrig...


MfG Peter(TOO)

[HaWe]

aaaa-haaaa!
DAS ist jetzt ein ganz neuer Gesichtspunkt, danke!