So hatte ich das auch in etwa gemeint!
weisst du noch was du für einen transistor verwendet hast? die haben alle einen großen Basistrom von ca. 1 A
So hatte ich das auch in etwa gemeint!
weisst du noch was du für einen transistor verwendet hast? die haben alle einen großen Basistrom von ca. 1 A
Ich habe, wie erwähnt, die Version mit Netztrafo praktisch verwendet. Für deine Schaltung eignet sich z.B. BU508AF in Kunststoffgehäuse: http://www.datasheetcatalog.org/data.../BU508AF_2.pdf . Wie kommst du auf 1A Basisstrom, vieleicht ist das max. Wert ?
MfG (Mit feinem Grübeln) Wir unterstützen dich bei deinen Projekten, aber wir entwickeln sie nicht für dich. (radbruch) "Irgendwas" geht "irgendwie" immer...(Rabenauge) Machs - und berichte.(oberallgeier) Man weißt wie, aber nie warum. Gut zu wissen, was man nicht weiß. Zuerst messen, danach fragen. Was heute geht, wurde gestern gebastelt. http://www.youtube.com/watch?v=qOAnVO3y2u8 Danke!
Also laut datenblatt war das bei dem Typ den ich rausgesucht hatte so,
und bei dem den du eben vorgeschlagen hast sind es sogar 2A oder?
VBEsat Base-emitter saturation voltage IC = 4.5 A; IB = 2 A
Das sind nur Messungsbedingungen, das bedeutet eben, dass bei IB = 2 A und IC = 4,5 A die Sättigungspannung VBEsat = max. 1,1 V ist, sonst nix. Den Basistrom kann man immer ab 0 selber bestimmen.
Geändert von PICture (15.11.2011 um 21:05 Uhr)
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Die Verlustleistungen an den Widerständen werden aber sicher sehr hoch werden oder?
Sehr hoch ist relativ P = U² / R. Ich komme für R6 auf ca. 0,5 W und für R7 ca. 1W, würde also entsprechend 1W bzw. 2W oder mehr nehmen, damit sie im geschlossenem Gehäuse und Dauerbelastung nicht sehr warm werden.
Geändert von PICture (16.11.2011 um 14:00 Uhr)
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