Auch so ein Monster mit 250nC. Mit den 0,3 mA vom Optokoppler geht das zu langsam.Was hälste denn von diesem MosFet?
Ich gebe die Ladung an, die ich finde. Sie stehen ja in einer gewissen Beziehung zueinander, die bei ähnlichen FETs vielleicht ähnlich ist. Beim BUZ11 in Bild 13 und Bild 17 sieht man Ladungen.
Qg in Bild 13 steigt mit steigender Gatespannung entsprechend einer Kapazität. Bei 7V Ugs nimmt der Transistor weitere 15-20nC Ladung auf (es steht nicht dabei aber das ist sicher die Qrr) und bei weiterer Erhöhung steigt die Ladung entsprechend einer geringeren Kapazität.
Wenn Du weitere Datenblätter ansiehst könntest Du ja mal Den Kanalwiderstand und die Gateladung notieren, dann bekämen wir vielleicht eine schöne Übersicht.
Zwischen eine schwache Ansteuerung und einen FET mit großer Gateladung kann man einen Treiber wie den hier setzten: http://pdfserv.maxim-ic.com/en/ds/MAX5078.pdf
Hier habe ich noch mal was zum Thema gefunden:
Ein Beitrag von IR aus 2003 in dem neue DC-DC Wandler Fets mit zwei Qualitätskriterien gemessen werden: R*AA und R*Qg.
R*Qg mit 75mOhm.nC
Beide Werte sollen ja klein sein. Mal sehen wo da die verfügbaren FETs liegen.
Manfred
http://www.irf.com/technical-info/wh...dcdctrench.pdf
Abstract. New trench MOSFET technology presented in this paper includes several major technological breakthroughs that significantly improved device performance in DC-DC converter applications. The figure of merit R*AA has reached as low as 12 mOhm.mm2 for a 30 VN SyncFET and R*Qg is only 75 mOhm.nC for a 30VN Control FET, one of the lowest reported in industry.
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