@shedepe:
Bei einer TVS-Diode liegt während des Kurzschlusses die Durchbruchspannung an. Also wenn du eine 24V-Anwendung hast, so etwa 26-27V oder mehr, je nachdem welche Diode man gewählt hat. Über einer Sicherung ist da weitaus weniger Spannung.
Der Strom geht aber durch beide Elemente -> die Diode hat die weitaus größere Leistung wegzustecken.

Wie gesagt-es gibt Fälle, da geht das halbwegs. Ich weiß auch daß es auch durchaus öfter praktiziert wird, aber trotzdem halte ich davon nichts.

Schau mal hier ins Datenblatt so einer TVS-Diode:
https://www.mouser.de/datasheet/2/427/p6ke-240325.pdf

Da stehen zwar erstmal beeindruckend hohe Ströme und Absorptionsleistungen von mehreren kW, aber auch einige häßlich kurze Zeiten daneben. Und wenn du dir gleich das erste Diagramm unter Ratings and Characteristic Curves ansiehst, kannst du die Absorptionsenergie eigentlich direkt ablesen: nämlich 2J (0,2kW für 10ms).

Bei einer Spannung von 24V und einem "Kurzschlußstrom" von nur 1A hat die Diode nach 83ms ihr Soll erfüllt.

Hier ist ein Schmelzintegral angegeben:
https://www.mouser.de/datasheet/2/35...x20-793250.pdf

Mit einer 125mA-Sicherung geht das schon nicht mehr, bzw. ist es Zufall ob die Diode stirbt oder die Sicherung vorher für klare Verhältnisse sorgt. Der Tod der Diode liegt irgendwo unter der oberen Kurve.

Je höher die Spannung, desto schlechter wird es übrigens für die Diode. Umgekehrt gilt das natürlich auch, d.h. je niedriger die Spannung, desto eher klappt das noch. Aber wie gesagt: Ich weiß daß nicht wenige Leute das so machen, dennoch würde ich das nicht so bauen und auch eher davon abraten.