Hallo zusammen,
ich bin grad auf einen Hinweis bei Flashbausteinen gestoßen, der einem große Sorge bereiten kann.
Das Flashbausteine eine begrenze Anzahl Programmierzyklen haben ist soweit bekannt,
das es aber auch durch "Lesen" eine Zerstörung gibt ist mir völlig neu.
Schaut mal bitte diesen Artikel an:
https://buyzero.de/blogs/news/raspberry-pi-sd-karten-korruption-vermeiden-geheimnisse-der-microsd-karte
Auszug aus dem Artikel:
Read Disturb
Ein bisher noch nicht von mir erwähntes, aber besonders perfides, Phänomen ist Read Disturb. Selbst bei ausschließlichem Lesen von der Karte kann es - gerade durch das Lesen - dazu führen, dass benachbarte Speicherzellen im selben Block ihre Programmierung ändern. Die Wahrscheinlichkeit dass das passiert steigt stark nach einigen 100.000 Lesevorgängen.
Das scheint sich aber speziell auf MLC NAND Flashs zu beziehen.
Nun frage ich mich grad, wie das mit dem Programmspeicher (Flash) in meiner CPU aussieht.
oder meinen externen Flashbausteinen ?
Bei den externen I2C und SPI Flashbausteinen scheint es sich ja meist um "NOR" Flash zu handeln
grad noch gefunden:
Aufgrund der verwendeten Zugriffsart können NAND-Speicher nicht direkt als Programmspeicher für Mikrocontroller eingesetzt werden (diese benötigen einen linear adressierbaren Speicher mit wahlfreiem Zugriff)
Dann ist das wohl eher nur ein Problem bei den SD-Karten
Siro
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