Ja. Das stimmt so
Ja. Das stimmt so
Der J-FET benutzt als Isolation eine Diode in Sperrrichtung.
Der Vorteil lag darin, dass man J-FETs mit dem selben Prozess wie Bipolar-Transistoren Herstellen konnte.
Der Nachteil liegt beim Gate-Leckstrom, da hat man alles was man von einer Diode kennt.
Der MOS-FET benutzt eine echte Isolationsschicht. Technologisch musste man dies aber erst einmal in den Griff bekommen!
Bis etwa Mitte der 70er Jahren, hatte man auch noch Mühe N-MOS und P-MOS effizient auf dem selben Chip herzustellen. Es gab zwar die CD4000er seit Ende der 60er Jahre als CMOS, aber die ersten µP-Familien wurden noch meist in N-MOS ausgeführt.
Die Isolationsschicht ist heute noch ein Thema. Die begrenzte Anzahl an Programmierzyklen bei EPROMs, EAROMs und heutigen FLASH-Speicher liegt in der Isolation.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
danke für die Antworten!
Das klingt nun allerdings doch ein wenig ähnlich mit JFET vs. MOSFET...
aktuell geht es um Beispiele wie auf den beiden Scans -
ich habe keinen 2N3819 JFET, nur den 2N7002 MOSFET -
da wird man dann wohl nicht den JFET durch den MOSFET ersetzen können? Oder doch?
Grundsätzlich ist es kein Problem einen J-FET gegen einen MOS-FET auszutauschen.
Das Problem sind nur die Werte, aber ich bin jetzt zu faul die Datenblätter zu vergleichen.
Wichtig ist UGS-Kennlinie.
(Strom, Spannung und Verlustleistung sollten natürlich auch noch passen)
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Datenblätter habe ich schon geguckt, und die unterscheiden sich ntl schon erheblich, zumindest für mich, mit ungeübtem Blick. Es sind einfach viel zu viele Zahlen, kA, welche da wichtig sind und welche nicht, und ob man beim Austauschen den MOSFET schmort, weil der vlt doch noch einen Widerstand am Gate oder Source gebraucht hätte...
http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/jfet/2N3819.pdf
http://www.infineon.com/dgdl/Infineo...19c2a9461e79e6
Betriebsspannung wäre in jedem Falle 9V
Der eine verträgt 25V und der andere 60V, also kein Problem.Zitat von HaWe
Die Stromquellen liefern einen höheren Strom mit dem MOS-FET.
Mit einer grünen LED (Vf 2.2V) liefert die Schaltung nach Abb. 3.88 mit dem J-FET um die 7mA (Seite 2 . "Drain Current and Transconductance vs. Gate-Source Cutoff Voltage". Kurve für IDSS.)
Beim MOS-FET kann man das nicht mehr so gut aus dem Diagramm lesen (page 5, Diagramm "7 Typ. transfer characteristics"). liegt vielleicht bei 10-20mA. Da sind wir aber sehr im Streubereich. Sollte also nicht gleich rauchen.
Also einfach als erstes den Strom messen.
MfG Peter(TOO)
- - - Aktualisiert - - -
Bei den Schaltungen 112 und 117 ist es etwas komplizierter.
MOS-FETs reagieren recht empfindlich auf ESD.
Da sollte man parallel zu R1 noch eine 12-15V Z-Diode schalten, das Gate verträgt maximal +/-20V. Oder vom Gate je eine Diode nach + und - der Batterie. (http://www.physikerboard.de/topic,34...schaltung.html)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
ok, vielen Dank!
das heißt aber schon: bei all den anderen Beispielschaltungen aus der Conrad-Box , die ja teilw. noch völlig anders aussehen, kann man sich ebenfalls nie drauf verlassen, dass mann statt JFET den MOSFET gefahrlos einsetzt. Das ist dann aber doch zu riskant, um einfach mal eben die Schaltungen auszutesten.
Dann vergesse ich mal die Conrad-JFET-Beispiele und gucke, ob ich nicht ein paar Lern-Schaltungen für meinen MOSFET finde, auf den kommt es mir ja eigentlich an.
Vielen Dank aber nochmals fürs Drübergucken und die Ratschläge!
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