Fet, mos, mosfet

[HaWe]

hallo,
ich bin zur Zeit noch mal an analog-elektronischen Schaltungen dran, insb. zum Thema FET, MOS, MOSFET.
Den groben Unterschied zu normalen Transitoren (BC547 etc. und npn/pnp) kenne ich, aber die FET, MOS, MOSFET (wie auch immer sie wann wo genannt werden) untereinander verstehe ich noch nicht.
Gut, es gibt nMOS und pMOS, das ist wie npn und pnp.

Manche Bau-/Lernsets wie von Conrad (Elektronik-Experimente-Box) haben nun den Typ
2N3819
im Programm, andere einen im Schaltbild leicht anders aussehenden
2N7002


kann man die zwei gegeneinander austauschen, nur um verschiedene Beispiele mal nachzubauen und zu testen und ein wenig verstehen zu lernen?

[shedepe]

Vielleicht hilft es dir die Abkürzungen ausgeschrieben zu sehen:
FET - Feldeffekttransistor (Field effect transistor)
MOS - Metal Oxid Semiconductor
MOSFET - Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistor

Grundprinzip des Fets ist: Du hast einen Kanal zwischen Drain und Source. Diesen kannst du über eine elektrische Spannung an dem Gate steuern. (Entweder abschnüren oder erweitern)
Dabei gibt es verschiedene Typen. Um mal zwei Stück aufzuzählen: J-Fet und Mosfets. Mosfets haben im Gegensatz zu J-Fets ein durch ein Metalloxid isoliertes Gate. J-Fets haben keine isolation zwischen Gate und Kanal.
http://www.elektronik-kompendium.de/...au/1101211.htm
http://www.elektronik-kompendium.de/...au/0510161.htm

Dadurch ergeben sich unterschiedliche Charakteristiken und unterschiedliche Anwendungsszenarien.

[HaWe]

aaaah... danke, jetzt erkenne ich den Unterschied!
der erste, 2N3819 , ist ein n-JFET,
und der zweite, 2N7002 , ein n-MOSFET ...!
korrekt?

[shedepe]

Ja. Das stimmt so

[Peter(TOO)]

Der J-FET benutzt als Isolation eine Diode in Sperrrichtung.
Der Vorteil lag darin, dass man J-FETs mit dem selben Prozess wie Bipolar-Transistoren Herstellen konnte.
Der Nachteil liegt beim Gate-Leckstrom, da hat man alles was man von einer Diode kennt.

Der MOS-FET benutzt eine echte Isolationsschicht. Technologisch musste man dies aber erst einmal in den Griff bekommen!

Bis etwa Mitte der 70er Jahren, hatte man auch noch Mühe N-MOS und P-MOS effizient auf dem selben Chip herzustellen. Es gab zwar die CD4000er seit Ende der 60er Jahre als CMOS, aber die ersten µP-Familien wurden noch meist in N-MOS ausgeführt.

Die Isolationsschicht ist heute noch ein Thema. Die begrenzte Anzahl an Programmierzyklen bei EPROMs, EAROMs und heutigen FLASH-Speicher liegt in der Isolation.

MfG Peter(TOO)

[HaWe]

danke für die Antworten!
Das klingt nun allerdings doch ein wenig ähnlich mit JFET vs. MOSFET...
aktuell geht es um Beispiele wie auf den beiden Scans -
ich habe keinen 2N3819 JFET, nur den 2N7002 MOSFET -
da wird man dann wohl nicht den JFET durch den MOSFET ersetzen können? Oder doch?