lt. deiner schaltung geht es nur in ein richtung?
lt. deiner schaltung geht es nur in ein richtung?
das leben ist hart, aber wir müssen da durch.
Ja so wars gedacht
Der Gate Treiber regelt das nicht selbst?Werden die Mosfets zu langsam geschalten, gehen sie in Rauch auf.
Schaltest du zu schnell, gibt es Störungen. Die dazu führen kann das die Fets falsch angesteuert werden (= Kurzschluss)
Der muss natürlich dann zu den MOSFETS passen ich weiß.
Neu im bereich von MOSFETS und Motor ansteuerung :PEs gibt so viele mögliche Fehlerquellen. Das ist nichts für jemanden der neu in die Materie eingestiegen ist.
Hab Sonst immer Bipolar Transistoren verwendet zum Schalten.
Also MOSFETS ansteuerung per µC will ich definitiv lernen.
Wenn da jemand nen Link hat wo möglichst viel dadrüber steht wär das super
Hmm dann war ich zumindest auf der richtigen spur aber da gibs dann noch so viele verschiedene ...Die Treiber die den Mosfet ansteuern nennen sich Mosfettreiber bzw Gatetreiber oder je nachdem für was es ist Lowside bzw highside Treiber.
Wären 2 von den L6387E für sowas geeignet?
Nur vom prinzip her ich weiß noch nicht ob der auch zu den MOSFETS passen würde
Ähm zumindest war das nicht beabsichtigt sollte schon in beide Richtungen gehen.
Bin etwas müde hab die nacht nicht geschlafen![]()
dann brauchts du drei eingänge
2 richtung
1 pwm
und damit sind wir wieder bei der schaltung![]()
das leben ist hart, aber wir müssen da durch.
Für eine H-Brücke bräuchtest du zwei Halbbrückentreiber, je Seite einen. Die kümmern sich auch darum, die Gate-Kapazität möglichst schnell zu Laden/Entladen (Vermindern der Schaltverluste) und sorgen auch dafür, dass nie beide Transistoren gleichzeitig durchgeschaltet werden (sonst gäbe es nen Kurzschluss und die Mosfets waren einmal). Wenn man die nicht ordentlich ansteuert bekommt man sonst Probleme damit und die Mosfets erhitzen sich unnötig. Hier kannst du mal gucken, da gibt es sowas zu kaufen:
https://www.reichelt.de/index.html?&ACTION=446&LA=0
Ein paar Bauteile drum herum wirst aber immer haben, allein schon wegen der Bootstrapschaltung um die Highside-Mosfets zu treiben (dafür kannst dann 4 gleiche N-Channel nehmen).
Aber mal so was anderes, du musst die H-Brücke nicht zwingend aus einzelnen Bauteilen aufbauen, es gibt ja auch ICs dafür, wo alles drin ist. Für derart hohe Ströme würde mir da aber nur dieser einfallen:
https://www.reichelt.de/index.html?A...CH=VNH%203SP30
AI - Artificial Idiocy
Danke Danke
Ich hab mich jetzt für den MOSFET Treiber L6398 und den MOSFET STP100N6F7 entschieden.
Allerdings weiß ich nicht so recht ob die auch zusammen passen wegen dem Gate Strom.
Kann mir da jemand weiter helfen das zu berechnen?
Was mir auch noch n Rätsel ist wie das nun mit der Versorgungsspannung des L6398 aussieht der Soll das Gate ja mit 10 Volt ansteuern und an den L6398 wollt ich 5V oder die Akkuspannnung von 7,4V anlegen.
Erzeugt der die 10 Volt intern oder wie ist das?
Hallo,
Das funktioniert so nicht!
Hier mal das Datenblatt:
http://www.st.com/web/en/resource/te...CD00290377.pdf
Seite 10, Figure 5
Wenn Pin 5 (LVG) den FET durchsteuert, liegt Pin 6 (Out) praktisch an Masse.
Cboot wird nun über die Diode auf Vcc aufgeladen.
Jetzt kommt aber noch die UV-Protektion ins Spiel (Unterspannungsüberwachung).
Auf Seite 6, Abschnitt 4.3 steht, dass Vcc 10-20V betragen muss.
Und auf Seite 7, Absatz 5.2 stecht, dass die UV-Protection erst bei 10V garantiert schaltet.
Das Ganze funktioniert also mit 7.4V gar nicht.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
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