ZitierenWenn du ihn dauerhaft am Rande seiner Leistungsfähigkeit betreibst oder ihn nicht ausreichend kühlst kann das durchaus passieren.
Was auch leicht mal passiert ist, dass du ihn nicht schnell genug schaltest -> dadurch kann das Silzium schaden nehmen.
Eine ernst gemeinte Frage, auch wenn sie erstmal merkwürdig klingt. Verfallsdatum gibts ja glücklicherweise nicht
Einen Leistungsmosfet an sich gibt es ja wohl nicht. Ein Leistungsmosfet sind viele kleine Transis parallel geschaltet, daher auch der geringe On Widerstand .
Wenn ich den Mosfet entsprechend quäle, nimmt er mir das übelauch klar.
Kann es passieren, dass der Mosfet langsam stirbt und damit der RDSon steigt ?
Siro
Wenn du ihn dauerhaft am Rande seiner Leistungsfähigkeit betreibst oder ihn nicht ausreichend kühlst kann das durchaus passieren.
Was auch leicht mal passiert ist, dass du ihn nicht schnell genug schaltest -> dadurch kann das Silzium schaden nehmen.
Hallo Siro,
Neben der, wie schon geschrieben wurde, Temperatur, gibt es noch weiteres was so ein MOS-FET nicht mag!Zitat von Siro
Grundsätzlich steigt RDSon mit der Chiptemperatur auch an.
(deshalb funktioniert auch die Parallelschaltung der vielen kleinen FETs. Hat so ein FETchen einen kleineren RDSon als die Anderen fliesst ein etwas grösserer Strom durch dieses. Dadurch wird dieses etwas wärmer und der RDSon steigt an und der Gesamtstrom verteilt sich gleichmässig auf alle FETchen. )
Was FETs auch gar nicht mögen, sind Spannungsspitzen.
Am empfindlichsten reagiert das Gate aber auch Uds darf die Maximalwerte nicht übersteigen.
Da können schon Spannungsspitzen i8m ns-Bereich auf Dauer schaden anrichten.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Ich danke euch für die Antworten.
Das sich der Gesamtstrom gleichmässig auf die vielen "Kleinen" verteilt hoffte ich bisher nur, dann scheint dies tatsächlich zu funktionieren, das wäre eine meiner nächsten Fragen geworden.
Danke Peter.
Dann kann es also wirklich sein, das ich den Mosfet zu sehr gequält habe (das habe ich wirklich getanund darum kam die Frage) und er zwar weiterhin noch funktioniert aber nicht mehr ganz so "schön" wie am Anfang.
Einfach ausgedrückt.
Die Quälerei entstand mit Sicherheit durch das vermehrte Einschalten einen Motors. In Ruhe zieht er zwar unter einem Ampere, beim Starten hab ich aber kurzzeitig 15A gemessen.
Eine "ungünstige" Abschaltung lies den Motor leider immer wieder ein/aus schalten. Der Mosfet war für ca. rund 2 Ampere ausgelegt.
Siro
Hallo Siro,
Bei bipolaren Transistoren ist es dann genau umgekehrt.
Die Dotierung ist nie genau ganz gleichmässig. Es gibt also Stellen welche etwas besser leiten. Wenn diese wärmer wird, leitet sie noch besser.
Hinzu kommt noch, dass jeder Strom ein Magnetfeld erzeugt, welches den Stromkanal zusätzlich noch einengt ....
Das kann sich dann so aufschaukeln, dass das Silizium am diesen Stellen aufgeschmolzen wird.
Die Transistoren haben dann Messtechnisch meistens intakte Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Dioden, aber die Kollektor-Emitter-Strecke hat einen Kurzschluss bei beiden Polaritäten.
Mit der Temperatur nimmt auch die Basis-Emitter-Spannung ab. Deshalb ist es etwas komplizierter bipolare Transistoren parallel zu schalten. Praktisch muss man in die Emitterstrecken einen Widerstand einfügen, wodurch die einzelnen Transistoren quasi als Stromquellen betrieben werden.
MfG Peter(TOO)
Manchmal frage ich mich, wieso meine Generation Geräte ohne Simulation entwickeln konnte?
Das hatte mich auch schon mal gewundert. Ich dachte...., wenn ein Transistor durchbrennt ist die CE Strecke immer gesperrt, jedoch wurde ich eines besseren belehrt.
Hatte aus Sicherheitsgründen 2 Bipolare in Reihe geschaltet um einen Heizstrom abzuschalten und ich war nicht schlecht erstaunt, dass beide "gelitten"hatten (leiteten)
Also beide hatten Kurzschluss auf CE. Die haben sich also nicht weggebrannt sondern zugebrannt.
Danke, Siro
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