Hallo Siro,
Neben der, wie schon geschrieben wurde, Temperatur, gibt es noch weiteres was so ein MOS-FET nicht mag!
Grundsätzlich steigt RDSon mit der Chiptemperatur auch an.
(deshalb funktioniert auch die Parallelschaltung der vielen kleinen FETs. Hat so ein FETchen einen kleineren RDSon als die Anderen fliesst ein etwas grösserer Strom durch dieses. Dadurch wird dieses etwas wärmer und der RDSon steigt an und der Gesamtstrom verteilt sich gleichmässig auf alle FETchen. )
Was FETs auch gar nicht mögen, sind Spannungsspitzen.
Am empfindlichsten reagiert das Gate aber auch Uds darf die Maximalwerte nicht übersteigen.
Da können schon Spannungsspitzen i8m ns-Bereich auf Dauer schaden anrichten.
MfG Peter(TOO)








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