Mosfet ohne Bodydiode

[Siro]

Beim Basteln kam mir grad eine Idee: iregendwer suchte mal nen Mosfet OHNE Bodydiode (PN Übergang vom Subsrat)



Der einzige Nachteil is der doppelte RDSon.

Jetzt fehlt mir doch glatt die Anwendung dafür ....

Siro

[Hubert.G]

Und wie steuert man dieses Gebilde an?
Das Gate sollte immer um, sagen wir mal, 5V positiver sein als Source.

[Siro]

Ganz normal:

[Peter(TOO)]

Hallo,

Ganz normal:

Auch schon mal in Real getestet?

Das Problem ist, dass immer einer der FETs im III Quadranten betrieben wird und dazu gibt es keine Angaben im Datenblatt!
Möglicherweise verwendet deine Simulation einfach die Parameter aus dem I Quadranten.
Das Problem ist, dass ein FET aber keine nicht unbedingt eine symmetrische Geometrie, bezogen auf S und D hat.
Desweiteren ist nicht bei allen FETs die Gate-Schutzschaltung symmetrisch.

Mit FETs habe ich keine praktischen Erfahrungen, aber mit bipolaren Transistoren.
Wenn man E und C vertauscht, sinkt die Sättigungsspannung auf 10-20mV, aber die Verstärkung wird auch um den Faktor 10 kleiner.
Allerdings funktioniert dies nur mit Planar (Mesa) Transistoren, da hier C und E geometrisch sehr unterschiedlich sind.
Mit Alloy- und Spitzentransistoren-Transistoren geht es nicht, diese sind symmetrisch aufgebaut.

OK, heute gibt es praktisch nur noch die Planar-Transistoren.

Mit Bipolar-Transistoren kann man auch sehr genaue Stromteiler machen, indem man den Collector-Ring in z.B. 2 Segmente unterteilt. Das Stromverhältnis der beiden Collector-Ströme entspricht dann der Geometrie (Ist in vielen ICs zu finden). Manchmal wäre es praktisch, wenn man solche Transistoren auch als Einzelbauteil bekäme

MfG Peter(TOO)

[Hubert.G]

Das muss ich mal real ausprobieren.
Die Gate-Source Spannung von Q2 kann maximal um Vgs von Q1 höher ausfallen. Die Bodydioden für den Stromfluß zu benutzen halte ich für nicht gut.

[Peter(TOO)]

Hallo,

Die Bodydioden für den Stromfluß zu benutzen halte ich für nicht gut.

Kommt jetzt auf die Anwendung an!

Rein vom Strom her, macht die das mit und es gibt etliche Schaltungsvorschläge der Hersteller, bei welchen die Body-Diode, im Leistungsbereich, auch so verwendet wird.
Wenns dann um die Verlustleistung geht, sieht es anders aus.
Nicht umsonst verwendet man heute auch aktive Gleichrichter.

MfG Peter(TOO)

[Siro]

Ich habe es eben aufgebaut mit dem IRFR5305 und kann bestätigen: es funktioniert.
Bei höheren Spannungen muss natürlich eine Z-Diode zwischen Gate und Doppelsource die auf 8 Volt begrenzt.
Ich hab mal eine ZD5,1 genommen um das Gate Soure Potential zu begrenzen und die Schaltung bis 30 Volt ausprobiert.


Die beiden Drainpins (mit DS bezeichneten) habe ich auch mal vertauscht. Ist egal wie rum, das funktioniert.