Er schreibt ja auch zwischen Gate und Source, nicht zwischen Gate und Signalquelle. Ich denk mal, der Widerstand soll als so eine Art Pulldown wirken, damit das Gate auf einem definierten Pegel steht, wenn kein Signal anliegt.
AI - Artificial Idiocy
Ich hab den Motor grade bekommen. Im Stillstand kann ich 12 Ohm messen. Im Betrieb (ohne Last) kommt er auf unter 200mA bei 24V. Durch die große Übersetzung des montierten Getriebes bekomm ich die Welle nicht gehalten. Ich werd nacher mal versuchen was ich für nen Maximalstrom mit meinem Tischmultimeter messen kann.
Welchen Sinn genau hat der Widerstand zwischen Gate und Source?
Als Pulldown wäre doch eher zwischen Gate und Gnd sinnvoll...
Da die Quellspannung 24V beträgt, aber mein Mikrokontroller nur 5V verträgt, seh ich das als Risiko an...
Generell scheint der Buz11 mit 50V und 30A dann ja auf jeden Fall ausreichend zu funktionieren. Sollte ich dann vorsichtshalber noch nen Kühlkörper an den MosFet kleben oder ist das nicht nötig, da er für wesentlich größere Lasten ausgelegt ist?
Ergänzend sollte ich vielleicht noch sagen, dass beim Ein- und Ausschalten des Motors evtl. PWM ins Spiel kommen soll...
PWM sollte mit Mosfets ja eigentlich generell kein Problem sein.
Btw. liegt Source bei einem N-Channel Mosfet direkt an Gnd
War da nicht was, dass man für Mosfets eine höhere Steuerspannung braucht? Hab da was von 10-15V im Kopf, dafür könnte man dann einen Mosfettreiber nehmen. Mit 5V bekommt man so einen Mosfet jedenfalls nicht ausgesteuert und durch den höheren Widerstand steigen dann auch die Verluste. Ansonsten kannst ja auch mal gucken, ob du einen Logic-Level-Mosfet findest, bei dem gehts dann auch mit 5V.
AI - Artificial Idiocy
Den Anlaufstrom kann man mit einem Multimeter nicht messen, das ist viel zu langsam. Das geht nur mit einem Scope. Aber 12 Ohm und 24V lassen auf 2A schließen.
Source ist auf GND? Wobei das den FET nicht interessiert, ihn interessiert nur die Spannung zwischen Gate und Source, was in der Schaltung GND genannt wird ist ihm egal.Welchen Sinn genau hat der Widerstand zwischen Gate und Source?
Als Pulldown wäre doch eher zwischen Gate und Gnd sinnvoll...
MfG Klebwax
Strom fließt auch durch krumme Drähte !
Wie bereits an anderen Stellen geschrieben wurde, ist das Gate eines MOSFET ein Kondensator. Dieser wird mit einer bestimmten Kapazität aufgeladen während er mit HIGH angesteuert wird. Wenn das Gate dann wieder auf LOW geht, muss diese Kapazität erst wieder abgebaut werden - sprich der "Kondensator" muss entladen werden. Hierfür verwendet man einen sog. Gate-Ableit-Widerstand zwischen Gate und GND / Source.
Das hängt vom MOSFET ab. Du schreibst ja selbst von Logic-Level-Mosfets (Beispiel IRLZ34). Diese steuern bei 5 Volt bereits voll durch. Einzelne Logic-Level-Mosfets sind sogar bereits bei 3,3 Volt in Sättigung - sprich er steuert voll durch. Wenn Du so einen Logic-Level-Mosfet aber mit 12V am Gate ansteuerst, geht er recht schnell in die ewigen Jagdgründe ein.
Ein "herkömmlicher" nicht Logic-Level-Mosfet wie etwa der IRFZ34 hingegen braucht in der Tat eine Gate-Spannung > 10V um voll durchzusteuern.
Deshalb: immer einen Blick ins Datenblatt werfen! Wichtig sind Angaben wie Sättigungsspanung, max. Gate Spannung, Widerstand in Sättigung, max. Drain-Source-Spannung und max. Drain-Source-Strom.
Ein Gate-Treiber hat übrigens üblicherweise nicht die Aufgabe die Spannung am Gate zu verstärken, sondern genügend Strom zu liefern, um die Gate-Kapazität schnell genug umladen zu können. Da sowohl die Gate-Spannung als auch die Gate-Kapazität fix durch den MOSFET vorgegeben sind, kann man die benötigte Zeit zum Umladen nur durch die Höhe des fließenden Stroms beeinflussen. Und genau hier kommen normalerweise die Gate-Treiber zum Einsatz.
So, ich hab endlich einen Buz11 (Danke für die Empfehlung an Picojetflyer) ausprobiert. Gate habe ich dabei mit nem Widerstand von etwas über 600 Ohm an Source geklemmt. Und nen Zusätzlichen Widerstand zwischen den Pin des Mikrokontrollers und Gate (Wert weiß ich grade nicht). Aber prinzipiell funktioniert das genau wie gewünscht.
PWM ist in einem gewissen Rahmen auch möglich. Bei zu geringer PWM-Leistung bleibt der Motor allerdings unter Last schonmal stehen. Bei zu hoher Leistung muss ich noch nen größeren Kondensator ausprobieren. Momentan bricht die Versorgungsspannung bei Volllast zusammen
Ich denke, ich werden den 1000µF-Kondensator mal gegen ein doppelt so großes Modell tauschen und schauen, ob ich damit hinkomme... Der angesteuerte Motor zieht einfach recht viel beim Anlaufen...
600 Ohm zwischen Gate und Source ist deutlich zu wenig. Da darfst Du ruhig 10 bis 100 kOhm ran hängen ... dann geht auch das PWM besser, weil die Ladung nicht gleich wieder nach Masse abgeleitet wird
Ich dachte bisher, dass ein schnelles Ableiten für PWm mehr Sinn macht
Wie kommst du auf die 10-100K? Gibts da ne Faustregel? Oder...irgendwie gemessen oder laut Datenblatt?
Schnelles ableiten macht schon Sinn ... allerdings muss dann auch das erneute Laden in akzeptabler Zeit erfolgen. Wenn die Ladung aber statt in die Gate-Kapazität über den Ableit-Widerstand direkt nach GND abgeführt wird, dauert es entsprechend länger, das Gate zu laden. Während des Lade-Vorgangs nimmt der Soure-Drain-Widerstand langsam ab. Während dieses sog. Linear-Betriebs setzt der MOSFET durch diesen Widerstand elektrische Leistung in Wärme um - er heizt sich auf. Deshalb ist es grundsätzlich das Ziel, das Gate nicht nur möglichst schnell zu entladen sondern auch, es möglichst schnell zu laden. Die 10-100k sind Standard-Werte. Man muss halt immer in wenig experimentieren, bis man die beste Kombination aus Gate-Kapazität, Gate-Widerstand und Gate-Source-Widerstand finden. Dabei kommt es auch darauf an, wie viel Lade-Strom max. zur Verfügung steht (hier kommen dann ggf. auch sog. Gate-Treiber ins Spiel) und wie das EMV-Verhalten sein soll (kein oder ein kleiner Gate-Widerstand = schlechtes EMV besonders bei PWM).
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