Forscher der Purdue University schufen modernste CMOS-Schaltungen – erstaunlicherweise auf der Basis des „alten“ Halbleitermaterials Germanium. Germanium ermöglicht kleinere Schaltungen als Silizium, denn sowohl die Elektronenbeweglichkeit als auch die der „Löcher“ ist höher.

Germanium hat Eigenschaften, die es nicht so einfach machen, mit einem N-dotierten Transistor einen Kontakt mit einem niederohmigen Widerstand zu realisieren. Mit steigendem Grad an Verunreinigungen fällt der Widerstand. Die Forscher fanden eine Methode, wie die oberste Materialschicht weggeätzt werden kann, wodurch die am meisten verunreinigten Gebiete mit dem geringsten Widerstand freigelegt werden konnten. Durch dieses Ätzen entstehen vertiefte Kanäle, die als Gates für CMOS-Transistoren dienen. Aus Messungen geht hervor, dass die so erzeugte Basisschaltung in Form eines Inverters die besten Eigenschaften aller bisher bekannten Nichtsilizium-Inverter liefert.

Bild: Purdue University



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News Quelle: Elektor
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