Lange keinen so schlechten Artikel gelesen (lange kein TR mehr).

So viel besser ist Beweglichkeit im Germanium doch gar nicht als im Slizium, vor allem nicht bei den Elektronen. Da sind GaN, GaAs und ähnliche viel besser und auch Si/SiGe also mit Hilfe von Germanium gedehntes Silizium ist ähnlich gut. Mehr Beweglichkeit gibt auch schnellere Transistoren, nicht kleinere - für kleinere Transistoren braucht man höhere Durchbruchfestigkeiten, und die findet man nicht im Germanium mit kleiner Bandlücke, sondern eher bei SiC oder GaN mit größerer Bandlücke.