Hinweis: Nutze Indizes für die Bezeichnung von Komponenten.

Da der positive Eingang auf GND liegt hat der negative auch 0V, beide Eingänge versuchen immer gleiches Potential zu haben.

Über R(Ausgang zu neg.Eingang) fällt die gesamte Ausgangspannung ab.
Über C(Ausgang zu Knotenpunkt C2,R1,Re) fällt die Ausgangsspnnung MINUS die Spannung ab, welche in diesen Knotenpunkt C2,R1,Re herrscht.

Als Erklärungbeispiel ungeeignet da viele Sachen in zu kurzer Zeit fast gleichzeitig passieren
z.B. um Vorgänge die in 100ns passieren zu erklären braucht man auf Papier mehrere Sekunden, zum verstehen Minuten.

z.B.: Stromgegenkoppelung Transistor Werte sind nicht errechnet dienen nur zum Verständniss

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geg.: UB=5V, UR4=2,5V, UR3=1,9V, Ube=0,6V

Da Silizium bei Erwärmung mehr Elektronen freisetzt und wäre R3 nicht vorhanden würde T1 irgendwann in Rauch aufgehen weil zu heiß.
Da R1 und R4 einen Spannungsteiler bilden, in dessen Mitte 2,5V vorhanden sind und R3 vorhanden ist.

!!!!!!Zeeeeiiiittttttttddddeeehhhunnnnggggg!!!!!

AP-warm:
T1 erwärmt sich -> mehr Elektronen werden frei -> IR3 wird größer -> UR3 steigt (mehr als die 1,9V) UR4 bleibt bei 2,5V ->
Ube sinkt (0,6V und sinkend) -> Ibe sinkend -> Ice wird geringer -> weniger Strom = weniger Erwärmung ->
ARBEITSPUNKT hat sich stabilisiert sollte es wieder kälter werden Sprung zu AP-kalt

AP-kalt:
T1 kühlt ab -> weniger Elektronen werden frei -> IR3 wird kleiner -> UR3 sinkt (weniger als die 1,9V) UR4 bleibt bei 2,5V ->
Ube steigt (0,6V und steigend) -> Ibe steigend -> Ice wird mehr -> mehr Strom = mehr Erwärmung ->
ARBEITSPUNKT hat sich stabilisiert sollte es wieder wärmer werden Sprung zu AP-warm

und man sieht das alles passiert innerhalb von Nano bis Microsekunden.......