Silizium war das erfolgreichste Material des 20. Jahrhunderts. Die meisten High-Tech-Firmen beschäftigen sich damit und sogar ein Tal an der Westküste der USA wurde danach benannt. Doch Silizium geht bezüglich der Anforderungen der Zukunft langsam die Puste aus: Sowohl bei der Leistung als auch bei der Stromaufnahme scheinen (physikalische) Grenzen erreicht zu sein. Die Frage ist, ob Materialien wie InGaAs das Potential haben, Silizium technologisch und ökonomisch abzulösen.

Laut dem Mitarbeiter des Penn State Materials Research Institute, Arun Thathachary, hat Indium-Gallium-Arsenid eine sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Silizium. Samsung unterstützt die Untersuchungen über den möglichen Einsatz dieses Ersatzmaterials. In einem Artikel in der Fachzeitschrift Nano Letters beschreibt Thathachary, dass selbst bei einer Strukturgröße von nur 5 nm noch eine zweifache bis dreifache Elektronenbeweglichkeit möglich ist, was große Auswirkungen auf die damit aufgebauten Transistoren hat.

Bild: Elektronen-Mikroskopie eines Multigate-FETs, Arun Thathachary, Penn State



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News Quelle: Elektor
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