Hallo,
Zitat Zitat von witkatz Beitrag anzeigen
Warum eigentlich nicht? Im Datenblatt des IC heißt es: "OUTPUT CAN BE PARALLELED"
Allerdings findet man nirgends Angaben ob dann auch der doppelte Strom erlaubt ist ??!!

Das Problem beim Parallelschalten von Bipolar-Transistoren ist, dass diese immer etwas unterschiedlich dotiert sind.
Je nachdem ist dann die Sättigungsspannung auch etwas unterschiedlich.

Nun kommt das eigentlich Problem:
Wenn jetzt ein Transistor eine etwas kleine Sättigungsspannung hat, bekommt er einen etwas höheren Strom ab als die anderen und wird er auch etwas wärmer.
Mit der Temperatur nimmt aber die Sättigungsspannung auch ab, der Transistor bekommt noch mehr Strom ab, wird noch wärmer .......

Das selbe Problem hat man schon bei einem einzelnen Transistor. Die Dotierung ist nie ganz gleichmässig über den ganzen Kristall verbreitet.
Wenn nun die zulässige Stromdichte überschritten wird, tritt obiger Effekt lokal an einzelnen Stellen auf. Hinzu kommt noch das durch den Strom erzeugte Magnetfeld, welches dann den Strom auf einem kleineren Bereich zusammendrängt. Dadurch schaukelt sich das Ganze wiederum auf, nennt man Hot Spot. Das geht dann so weit, dass das Silizium Örtlich aufgeschmolzen wird und meist ein Kollektor-Emitter-Schluss die Folge ist. Lustigerweise sind meist die Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Dioden noch intakt.
Übrigens kann das Ganze, bis zum lokalen Schmelzen des Siliziums, innerhalb einiger 100µs ablaufen.

Bei FETs ist das umgekehrt, mit der Temperatur nimmt der Innenwiderstand des FET zu, also wird der Strom kleiner.

MfG Peter(TOO)