Eine Forschungskooperation zwischen der deutschen IHP-Innovations for High Performance Microelectronics und dem Georgia Institute of Technology (USA) hat den zur Zeit schnellsten Transistor der Welt hergestellt. Der SiGe-Transistor (Silizium-Germanium) erreichte eine f max von 798 GHz und übertrumpfte damit den vorherigen Rekordhalter um 200 GHz. * Auch wenn dieser Rekord nur bei der sehr tiefen Temperatur von*4,3 K (etwa -269 °C) erreicht wurde, so sind doch bei Raumtemperatur...

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News Quelle: Elektor
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