Das Gate vom MOSFET kommt an GND, bzw. zur Begrenzung der Spannung an einen Spannungsteiler zwischen GND und Drain.

Die alte Version der OP Schaltung war nicht nur komplizierter, sondern hatte sogar einen Fehler : die Anschlüsse am Shunt waren falsch herum, die Ausgangsspannung wäre negativ - sofern der OP das zugelassen hätte.

Wenn man die beiden Anschlüsse tauscht, ist der Unterschied auch nicht mehr so groß - es fehlt jetzt der eine Widerstand, der das Eingangssignal ein bisschen runter teilt, und der GND Anschluss ist halt nicht mehr beim Shunt eingezeichnet, auch wenn er auch in der neuen Schaltung da sein sollte. Die Frage ist also ob man den einen Widerstand mehr haben will, für eine Differenzverstärkung und damit weniger Einfluss von Spannungsabfall an der GND Leitung. Das RC Glied am Ausgang des OPs hat schon einen Vorteil weil es Rückwirkungen des ADs auf den OP reduziert. In der neuen Schaltung wäre auch noch ein Kondensator parallel zu R3 hilfreich, um die Verstärkerschaltung selber langsam zu machen.