Polwender auf Transistorbasis

[Besserwessi]

Die verlinkte Schaltung zur H-Brücke ist wirklich kritisch, kann aber relativ leicht entschärft werden. Es fehlen eigentlich nur die Widerstände vor der Basis des PNP Transistors um den Basisstrom festzulegen. Außerdem fehlen noch die 8 Freilaufdioden, um möglicherweise zu hohe Induktionsspannungen gegen die positive bzw. negative Versorgung abzuleiten.

p.s.:
Die Versionen weiter unten sind besser - da wird der untere Transistor gerade nicht gesättigt und damit der Basisstrom begrenzt. Allerdings wird dabei vorausgesetzt das die Verstärkung der NPNs kleiner oder gleich der PNPs ist - in der Realität ist das eher anders herum. Abhilfe kann z.B. ein Widerstand von Basis zu Emitter des NPN Endtransistors schaffen um zusätzlichen Basisstrom für den PNP zu liefern. Die Freilaufdioden fehlen aber auch da.

[CsMTEch]

Ok, danke für die vielen Antworten
Ich werde mich mal auf anderen Seiten zusätzlich mit der Materie befassen.

Nochmal DANKE

[CsMTEch]

Ich habe mich mit dem Thema jetzt mal ein bisschen beschäftigt, auch in altern Büchern gelesen. Dabei habe ich glaube ich gelesen, das es nicht egal ist, auf welcher "Seite" die Last ist. Kann man das allgemein so sagen, wie ich es auf der angehängten Grafik dargestellt habe?

[Besserwessi]

Bei den beiden Schaltungen ist die Last auf der Kollektor-seite. Von daher sind die Schaltungen ähnlich - nur das Eingangssignal bezieht sich bei der ersten Schaltung auf die positive Spannung, bei der 2. auf die negative.

[CsMTEch]

Ist es denn wichtig, dass die Last am Kollektor anliegt?

[PICture]

Ich werde mich mal auf anderen Seiten zusätzlich mit der Materie befassen.

Das wäre optimal, z B.: http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/index.htm .

[RoboHolIC]

Ist es denn wichtig, dass die Last am Kollektor anliegt?

Ich behaupte mal: ja! Wenn nämlich die Last am Emitter hängt - wie könnte dann jemals die Lastspannung höher werden als der High-Spannungspegel des treibenden Ausgangs abzüglich etwa 0,7V Basis-Emitter-Spannung? Das klappt nur, wenn sie am Kollektor hängt. Dazu kommt noch, dass der Transistor als Schalter mit der Last am Emitter einen Nicht-Fisch-nicht-Fleisch-Arbeitspunkt einnimmt, der wegen suboptimaler Sättigung zu höheren Verlusten führt. Alles nicht optimal.
Ich spreche hier von der häufigsten Anwendung: NPN-Transistor, mit positiver Ansteuerung, Lastspannung i.d.R. höher als die Betriebsspannung der Ansteuerschaltung.

[CsMTEch]

Nach langem ausprobieren habe ich es hinbekommen. Ich kann mit 2 Datenleitungen eine Spannungsquelle umpolen, aber die bipolaren Transistoren können nicht sehr viel ab. Deswegen wollte ich auf (MOS)FETs umsteigen. Ist es dort auch wichtig, dass die Last am Collector, bzw. Source liegt? Ist die Polung wichtig? Also, dass wie beim NPN Transistor Plus am Collector liegt? Und worauf muss ich beim Kauf der (MOS)FETs achten? Entsprechen N-Channel (MOS)FETs NPN Transistoren und P-Channel PNP?

Vielen Dank im voraus

[PICture]

Ist es dort auch wichtig, dass die Last am Collector, bzw. Source liegt?

Ja, aber bei (MOS)FETs gibt es keinen Collector, wie bei bipolaren Transistoren, sondern Drain.

Ist die Polung wichtig? Also, dass wie beim NPN Transistor Plus am Collector liegt?

Ja.

Und worauf muss ich beim Kauf der (MOS)FETs achten?

Auf vorhandene U_GS Spannung auf der Steuerseite und max. U_DS Spannung, max. I_D Strom sowie max. P_TOT Verlustleistung auf der Lastseite.

Entsprechen N-Channel (MOS)FETs NPN Transistoren und P-Channel PNP?

Vereinfacht ja.

[CsMTEch]

Ok, vielen Dank. Bald ist dann der eigene Treiber fertig