Hallo,
kenn sich einer mit der Struktur die beim schreiben vom Daten Flash
Speicher eingehalten werden muss?
Mein Problem ist das mir das Vorgehen in diesem Beispiel nicht klar ist
(siehe Anhang)
Zunächst die Infos die laut dem Datenblatt in meinem Fall -->
http://www.ti.com/lit/ug/sluu319/sluu319.pdf <-- Seite 90 gebraucht
werden.
- SubClass ID:64
- Number of bytes in the subclass:2
- Variable Offset:0
Jetzt kommt die Reihenfolge wie ich über I2C bzw. SMBus ausgelesen habe:
SlaveAddress Command DataFlashSubClassID LowByte (SubClass ID
64) HighByte
(0x16)W (0x77) (0x40)
(0x00)
Start 0001 0110 ACK 0111 0111 ACK 0100 0000 ACK
0000 0000 Stop
SlaveAdress Command DataFlashSubClassPage1..8
SlaveAdress LowByte HighByte
(0x16) W (0x7(0x17) R
(0x0A) (0x02)
Start 0001 0110 ACK 0111 1000 ACK Start 0001 0111
ACK 0000 1010 0000 0010 Stop
daraus sehe ich das im Register Cfg A im Low Byte:
TEMP0
ZVCHG1
und im High Byte
CC1 gesetzt sind was auch mit den dafault werten übereinstimmt bis auf
ZVCHG1. (siehe seite 143)
Wie beschreibe ich aber jetzt den Flash Speicher richtig? Da ich z.B die
Zellenanzahl auf 2 reduzieren muss...
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