Dir ist schon klar, was der Unterschied zwischen einem Bipolaren und einem Feldeffekt Transistor ist?
Was bringt dich zu der Idee, daß ein Widerstand zum Gate die Spannung am Gate beeinflussen kann? Der Widerstand zwischen Gate und Source kann leicht die Größe von 10 MOhm und mehr betragen, rechne dir da mal das Spannungsteilerverhältniss mit 100 Ohm aus.
Im durchgeschalteten FET sollten nur geringe Verluste entstehen. Bei 10 mOhm und 10A sind das ca. 1W. Das erfordert nicht mal einen Kühlkörper. Das Problem entsteht beim Schalten. Das Gate ist ein ziemlich großer Kondensator. Das können leicht einige nF sein (Ich bin jetzt zu faul, den Wert für deinen FET nachzulesen). Zusammen mit dem Gatewiderstand bildet das ein RC-Glied, daß dafür sorgt, daß der FET länger als nötig nur halb durchgeschaltet ist. Dabei muß der FET naturgemäß viel Leistung verheizen und wird natürlich heiß. Die Zeitkonstante dieses RC-Gliedes ist proportional zu R und C, je größer also R, desto langsamer (schlechter) wird es. Wenn du schnell schaltest, kann es sein, daß du den FET garnicht richtig durchsteuerst. Bevor jetzt der Ratschlag mit einem Gatetreiber kommt, auch der kann die Zeitkonstante eines RC-Gliedes nicht änden, oder das Ohmsche Gesetz außer Kraft setzen.
Ob das jetzt dein Problem ist, kann ich nicht sagen. Bau mal die Schaltung im Labor auf, nimm eine rein Ohmsche Last mit 1 bis 2 A, und bring sie zum Funktionieren, ohne daß der FET warm wird. Dann steigere dich auf 10A. Dann eine induktive Last auch so mit 1 bis 2A und optimiere das Schaltverhalten. Dann kannst du den 10A Motor nehmen, wobei du berücksichtigen solltest (sowohl bei der Wahl des FETs als auch beim Schaltungsaufbau), daß der Motor beim Anlaufen schon mal 50 oder mehr Ampere zieht.
MfG Klebwax
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