Brauche Hilfe bei Vorwiderstände für XOR Gate

[BennIY]

Guten Abend Roboterfans,

ich scheitere daran, die Vorwiderstände meines XOR Gates zu berechnen. Folgender schaltplan:
Das ziel ist es, dass bei R11 ein Strom von 1mA Durchfließt.

Ebenfalls wundert es mich, dass an der Basis Emitterstrom von Q7 0mA beträgt, der Collektor Emitterstrom beträgt allerdings 0,4mA.

[BMS]

Hallo,
also auf den ersten Blick sieht das ziemlich kompliziert aus. Auf den zweiten Blick hab ich erst mal die grobe Struktur erkannt 2 Inverter, 2 NANDs, 2 Emitterfolger.

Da R12 und R13 (Kollektorwiderstände) ungefähr so groß sind wie R10 und R??, hast du nur noch ungefähr die halbe Spannung - also 2,5V - an der Basis der letzten Transistoren gegenüber Masse. Da diese in Kollektorschaltung sind, liegen am Emitter 0,6V weniger an - also nur noch ca. 1,9V. Über der CE-Strecke müssten dann 5V-1,9V=3,1V abfallen. Der Strom durch R11 wäre nur noch 1,9V/5kOhm=0,38mA. Gerundet sind das deine 0,4mA. TADAA!
0mA Basisstrom bei Q7 kann eigentlich nicht sein, behaupte ich.

Fazit: Die Kollektorschaltung der letzten Transistoren sind das Problem.
Lösungsvorschlag: pnp-Transistoren in Emitterschaltung nehmen, Signal von den NANDs an R12/R13 über Basisvorwiderstände abgreifen.

Grüße, Bernhard

[BennIY]

Genauer gesagt sind das doch keine NANDS , die Transistoren Q3,Q4 und Q5,Q6 bilden ein AND gate, strom soll an Output wenn beide Transistoren 1 sind oder lieg ich da falsch.
Ich muss alles mit npn Transistoren bauen.
Ein Xor besteht aus 2Not, 2AND und einem OR Gate.
Und das Problem ist, warum die 0,4AmA Fließen. Durch nachprüfen habe ich gesehen, dass an der Basis von Q7 eine spannung von ca 3V anliegt gedoch an Q8 keine Spannung anliegt obwohl beide schaltungen gleich aufgebaut sind.