Brauche Hilfe bei Vorwiderstände für XOR Gate

[BMS]

Hallo,
also auf den ersten Blick sieht das ziemlich kompliziert aus. Auf den zweiten Blick hab ich erst mal die grobe Struktur erkannt 2 Inverter, 2 NANDs, 2 Emitterfolger.

Da R12 und R13 (Kollektorwiderstände) ungefähr so groß sind wie R10 und R??, hast du nur noch ungefähr die halbe Spannung - also 2,5V - an der Basis der letzten Transistoren gegenüber Masse. Da diese in Kollektorschaltung sind, liegen am Emitter 0,6V weniger an - also nur noch ca. 1,9V. Über der CE-Strecke müssten dann 5V-1,9V=3,1V abfallen. Der Strom durch R11 wäre nur noch 1,9V/5kOhm=0,38mA. Gerundet sind das deine 0,4mA. TADAA!
0mA Basisstrom bei Q7 kann eigentlich nicht sein, behaupte ich.

Fazit: Die Kollektorschaltung der letzten Transistoren sind das Problem.
Lösungsvorschlag: pnp-Transistoren in Emitterschaltung nehmen, Signal von den NANDs an R12/R13 über Basisvorwiderstände abgreifen.

Grüße, Bernhard