nein wird nicht gelingen...
läuft dann wohl auf einen gate treiber hinaus da der steuerpegel nicht reicht!? stichwort bootstrapping. ist auch nicht allszu schwer aufzubauen
nein wird nicht gelingen...
läuft dann wohl auf einen gate treiber hinaus da der steuerpegel nicht reicht!? stichwort bootstrapping. ist auch nicht allszu schwer aufzubauen
Das bedeutet, wenn ich den unteren MosFet ausschalte ist source nicht definiert und hängt somit "in der Luft" ? D.h ich kann ihn deswegen nicht einschalten bzw. ich erreiche damit keine Differenz....
Ok vielen Dank ich werds mit einem P-MosFet probieren![]()
Nein. Die Substratdioden in deinem µC halten das Gate auf -6 bis -8V gegenüber der Source fest.
MfG Klebwax
Strom fließt auch durch krumme Drähte !
Wenn du viel Strom durch den Treiber fliessen lassen willst, dann solltest du es vermeiden, P-Kanal FETs einzubauen. Diese haben tendenziell immer einen etwas höheren RDSON (Widerstand im Drain-Source Pfad), was zu höheren Verlusten führt. Mit Treiberstufe müsste das auch mit nem N-Kanal FET passen.
(Tipp: IRF3004PbF hat einen für ein THT Bauteil extrem niedrigen RDSON...)
mfG
Jonny
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