Sorry, ich gebe zu, dass ich das nicht durchgerechnet habe und werde die zweite Schaltung nur für Erfahrene empfehlen, die es stufenweise mit Strommessung des Emitterstroms von T1, der natürlich nicht durchschalten soll, aufbauen würden.
Im Eingangspost schrieb Moritz von BC635, laut Datenblatt beginnt deren hFE ab 45.
Nein, er muss nur die normale Darlingtonschaltung verwenden, so wie Du die in Deinem #11er Post aufgezeigt hast, dann kann er auch 4k7 als Vorwiderstand verwenden. Denn das macht dem echten Darlington nichts aus, da die Versorgung von T1 gemeinsam mit T2 über RLast geschieht. Nimm an, dass T2's C voll nach E / GND durchschaltet, dann sieht T1 nur noch 0,7V an seinem C, damit ist der Strom durch T1 begrenzt, das System reguliert und schützt sich selbst.Wenn er aber bloss 4k7 Widerstände hat, dann muss er als T1 einen Transistor mit kleinem hFE finden. Deine richtige Berechnung zeigt das eben deutlich an.
Sorry, ich gebe zu, dass ich das nicht durchgerechnet habe und werde die zweite Schaltung nur für Erfahrene empfehlen, die es stufenweise mit Strommessung des Emitterstroms von T1, der natürlich nicht durchschalten soll, aufbauen würden.
MfG (Mit feinem Grübeln) Wir unterstützen dich bei deinen Projekten, aber wir entwickeln sie nicht für dich. (radbruch) "Irgendwas" geht "irgendwie" immer...(Rabenauge) Machs - und berichte.(oberallgeier) Man weißt wie, aber nie warum. Gut zu wissen, was man nicht weiß. Zuerst messen, danach fragen. Was heute geht, wurde gestern gebastelt. http://www.youtube.com/watch?v=qOAnVO3y2u8 Danke!
Grundsätzlich finde ich PICture's Ansatz recht interessant, weil er meist vernachlässigte Transistorparameter in die Schaltung einbezieht ! Das wird unter Laborbedingungen, insbesondere stabiler Umgebungstemperatur, auch funktionieren.
Problematisch an der von ihm vorgeschlagenen Schaltung ist m.E die starke Sensibilität auf Exemplartoleranzen, Temperaturabhängigkeit der hFE, V_CE-Abhängigkeit der hFE und der Typ-spezifische I_B_max des nachgeordneten Transistors. Vorteilhaft dagegen ist die gute Sättigung des Laststrom-tragenden Transistors, die besser ist als beim Darlington. Soweit die Bündelung der bereits genannten Aspekte.
Ich deute PICture's Ansatz als eine analoge Herangehensweise, die -wie so oft- komplexer zu behandeln ist als der digitale Ansatz Schalttransistor bzw. Darlington.
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