@Zameer: Gatewiderstand? Welcher Gatewiderstand? Der NPN-Transistor zieht die Gates direkt auf LOW, und da ein FET Spannungsgesteuert ist, würde ein vorhandener Gatewiderstand den Schaltvorgang nur minimal verlangsamen.
Aber mit den 50W Verlustleistung hast du recht. Das Problem von neo98 ist, dass er den Mittelkontakt zur Signalisierung kurz auf Low ziehen muss, mit einem P-FET geht das noch relativ einfach. Um die Verlustleistung auf ein normales Maß zu reduzieren, bräuchte er einen N-FET und müsste dann aber über eine Ladungspumpe eine Hilfsspannung zum Einschalten des Highside-FETs erzeugen.
Nun zum eigentlichen Problem: Die Schaltung ist fehlerhaft. Der obere FET ist falsch herum eingebaut (Source mit dem mittleren Bulk-Kontakt verbunden, ergo hast du Drain und Source vertauscht). Da die Body-Diode im FET bei Rückwärtsbetrieb leitet, kann damit durch den oberen FET permanent Strom fließen, der dann durch den unteren FET kurzgeschlossen wird.
Außerdem überschreitest du die zulässige Gatespannung der FETs. Diese beträgt laut Datenblatt max +-20V, deine 18V Wechselspannung erreicht Spitzenwerte von rund 25V. Das kann dir die FETs früher oder später zerstören.
Und schließlich bekommst du zum Zeitpunkt des Umschaltvorganges ein "kleines" Problem, weil kurzfristig beide FETs leitend werden. Dann hast du einfach Mal so einen Kurzschluss und zwischen VCC und GND.
Gegenmaßnahmen: Oberen FET richtig gepolt einbauen. Eine Zwischenspannung erzeugen oder die Gates durch eine Kombination von Z-Diode und Widerständen schützen. Und schließlich die beiden Gates unabhängig voneinander ansteuern, um selbst programmatisch eine Totzeit einzubauen. Alternativ wäre auch der Aufbau einer Verriegelungsschaltung möglich, aber das ist aufwändiger.
mfG
Markus
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