Hallo!
Bin schon seit längerem damit beschäftigt Induktionserhitzer zu bauen. Am Anfang waren es eher kleinere Aufbauten mit einer Ausgangsleistung von 50-200W, dann kam ich schon in den Bereich von ca.1kW und nun nach vielen Tests und Experimenten möchte ich nun noch ein 2kW Modell bauen.
Der Grundaufbau besteht aus einer IGBT-Halbbrücke und einem Parallelschwingkreis aus HF-Cap und der Induktionsspule.
Als Ansteuerung verwende ich einen GDT, der im Verhältnis 1:1, bifilar auf einen Ferrit-Ringkern (10Wdg.) gewickelt wurde und ein Rechtecksignal von +/- 20V herausgibt (ca.40kHz). An den Gate's der IGBT's befinden sich 22V TVS-Dioden (1,5KE22CA, bidirektional). Die IGBT's sind die SKM400GAL124D (1200V, 570A, 30nF Eingangskapazität).
Nun tritt das Problem auf, dass sich die TVS-Dioden sehr stark erhitzen. Nach einigen Test's habe ich herausgefunden, dass die TVS-Dioden nur heiß werden, wenn die Gate's der IGBT's mit angeschlossen sind. Nach weiteren Experimenten, in denen ich die Eingangskapazität der IGBT's durch Folienkondensatoren simuliert habe, habe ich am Oszi erkennen können, dass sich dadurch ein Schwingkreis aufbaut (siehe Bild) und die Spannungsspitzen entstehen, die die TVS-Dioden so heiß werden lassen. Trotz weiteren Messungen habe ich noch keinen Lösungsansatz für diese Problematik finden können. Da GDT's ja häufig zur Ansteuerung, auch von großen IGBT's verwendet werden, frage ich mich ob ich irgendwas grundlegendes falsch mache? Habt ihr evtl. Erfahrungen diesbezüglich?
Danke für jede Hilfe!
Gruß
Dennis
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