Der Fet hat ein Gate das wie ein Kondensator wirkt. Beim Einschalten wirkt der Kondensator wie ein Kurzschluss. Je größer die Gatekapazität ist desto höher ist der Strom bzw die Dauer des hohen Stromes. Deswegen verwendet man oft mit µC einen Widerstand zwischen Ausgang des µC und Gate von ca. 10-100Ohm. Der Nachteil ist hier das das Umladen des Gates länger dauert und dadurch der Fet einen höheren RDS hat (wärend des Umladens). Hier ist wieder das Problem das hier eine Verlustleistung abfällt (je nach RDS und Strom der fließt). Dadurch sollte man das Gate so schnell als möglich umladen. Verwendest du keinen Widerstand und hat das Gate eine hohe Kapazität kannst du den Ausgang des µC zerstören. Wenn der Ausgang auf +5V schaltet und das Gate wie ein Kurzschluss wirkt hat man eine direkte Verbindung zwischen +5V und Masse und somit einen hohen Strom der den Ausgang zerstören kann.
Aus diesem Grund verwendet man oft einen Gatetreiber. Dieser ist gleich aufgebaut wie der Ausgang eines µC nur kann der Gatetreiber einen höheren Strom liefern, dadurch wird nichts zerstört. Wenn du den Aufbau des µC Ausgangs nicht kennst. Dieser besteht aus 2 Transistoren. Einer zieht den Ausgang direkt auf +5V (Versorgung) und der andere Transistor schaltet direkt auf Masse.
Ein weiterer Punkt warum man oft Gatetreiber verwendet ist der das beim Umladen der Gates (Highside und Lowside) beide Fets gleichzeitig leiten können und der Strom nur durch die beiden RDS begrenzt werden. Die Gatetreiber verzögern die Umladung zwischen den beiden Gates um eine kurze Zeit (wenn es ein integrierter Highside/Lowsidetreiber ist).
Ist das Gate einmal geladen braucht der Fet "keinen" Strom mehr. Die "gefährliche" Situation ist nur das Umladen des Gates.
MfG Hannes
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