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Thema: High-Power-LED KSQ bis 3000mA

Hybrid-Darstellung

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  1. #1
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    so erst mal ein Entwurf mit Sachen die ich da habe...

    kann das so funktionieren oder hab ich euch falsch verstanden?

    reicht der Transistor des MC nicht auf um meinen Fet umzuladen? die Gate Kapazität ist bei den Typ glaub ich recht gering?

    Warum sollte es ein P-FET sein?
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  2. #2
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie Avatar von ManuelB
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    Ah, gut,
    wenn ich das richtig interpretiere ist das ein Stepdown mit Fet im GND-Pfad. Dann geht der N-Kanal, wobei 20Vcc dann schon relativ hart an den üblichen Grenzen der max. Gatespannung liegen (ohne einen Blick in das Datenblatt des Fet geworfen zu haben). Wie sieht das mit Freilaufdiode aus oder geht das über den MC34063 ? Diese Schaltungsvariante ist mir nämlich neu

    MfG
    Manu
    "Ja, diese Knusperflocken sind aus künstlicher Gans und diese Innereien aus künstlichen Täubchen
    und sogar diese Äpfel sehen unecht aus aber wenigstens sind ein paar Sternchen drauf..."

  3. #3
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    die Freilaufdiode habe ich vergessen... danke für den hinweis.

    Mein Fet kann auch bei der Gatespannung nur 15V ab...

    ich finde nur keinen P-Fet der bei 7V schon durchsteuert...
    wenn ich am Gate 0V anlege wird das doch bei einen VCC von 7v nicht reichen oder?

    Ich stehe also nun vor den Problem das die 20V für den N-FET zu hoch und die 7V für einen P-Fet zu niedrig sind...

    Wie löse ich das problem?

    danke
    Geändert von deko (28.02.2012 um 21:04 Uhr)

  4. #4
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie Avatar von ManuelB
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    Hm, wenn der MC nur das schalten des Gates auf GND macht und es nur durch den 10k Widerstand auf Vcc gezogen wird könnte man das Gate einfach mit einer Z-Diode schützen. Der Strom durch die Diode hält sich ja durch den 10K Widerstand in Grenzen bzw. ist vernachlässigbar klein.

    MfG
    Manu
    "Ja, diese Knusperflocken sind aus künstlicher Gans und diese Innereien aus künstlichen Täubchen
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  5. #5
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    danke für die antwort...
    ich muss aber leider gestehen, dass ich dir nicht folgen kann... bist du gerade bei einen N-CH Mosfet?

    was bringt mir die Z Diode am gate und wie verschalte ich sie?
    ist der wert der Z Diode kritisch?

  6. #6
    Erfahrener Benutzer Roboter Genie Avatar von ManuelB
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    Bei deinem Schaltplan ist ja der N-Mos drin. Dieser hängt am Gate einmal über 10k an Vcc und einmal am MC34063. Wenn der MC nun das Gate nur gegen GND ansteuert und für das aufsteuern der 10k zustaändig ist kann man eine Z-Diode zwischen Gate und Source legen (Anode an GND Kathode an Gate), Diese begrenzt dann die Spannung am Gate. Typischerweise verwendet man eine Z-Spannung die etwas unter der max. Gatespannung liegt also im Bereich 12-18V (je nach Mosfet). Das geht nur dnan nicht, wenn der MC das Gate auch niederohmig an VCC legt, da dann der Diodenstrom zu groß wird.

    MfG
    Manu
    "Ja, diese Knusperflocken sind aus künstlicher Gans und diese Innereien aus künstlichen Täubchen
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  7. #7
    Erfahrener Benutzer Fleißiges Mitglied
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    so im Anhang der Plan D2 wäre dann die Z-Diode (nicht von Schaltzeichen irritieren lassen) Das Gate verkraftet 15V. sind 13V dann ok? reichen 0,5W?

    Ist die Freilaufdiode dort ok?

    Passt der Rest so?

    danke
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