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Thema: N-Kanal Mosfet will nicht?

  1. #11
    Moderator Robotik Einstein Avatar von Kampi
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    Nein er sagt das der FET stirbt wenn er das Gate OHNE µC schaltet. Wenn er das Gate mit µC schaltet brummt das Netzteil.
    Wenn das Netzteil anfängt zu brummen deutet das auf einen zu hohen Strom hin und wenn dein FET abraucht würe ich auch mal auf eine zu niedrige Gatespannung tippen. Je nachdem wie schnell die Impulse nacheinander kommen hat das Gate eventuell nicht genug Zeit zum umladen, da der µC Pin nicht genug Strom bereitstellen kann um das Gate in der vorgegebenen Zeit umzuladen.
    Und wenn das Gate nicht richtig umschalten kann, verhält sich der FET wie ein Ohm´scher Widerstand und dann fällt an diesem eine Leistung ab und diese kann ihn zerstören.
    Schaut ruhig mal auf meiner Homepage vorbei :
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    Daniel Kampert

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    Gruß
    Daniel

  2. #12
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    Wenn das Netzteil anfängt zu brummen deutet das auf einen zu hohen Strom hin und wenn dein FET abraucht würe ich auch mal auf eine zu niedrige Gatespannung tippen
    Jetzt komm ich langsam durcheinander
    Mein Gate liegt doch an den 12V. Die Spule selbst hat R=0.3Ohm. Da sich alles in Reihe befindet. Uspule=0,3(V/A)*33A =9,9V
    Sehe ich das dann richtig das am Transistor (12V-9,9V=2,1V) abfallen?

    Re:
    Die Schaltimpulse liegen bei 100ms. Wobei ich zum testen immer nur einen Impuls durchlasse.

  3. #13
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    @ Kampi:
    Egal ob ich es nun falsch verstanden habe, bestätigst du meine Vermutung das der MOSFET nicht durchschaltet. (zu geringe Ugs bzw. der Strom reicht nicht zum umladen des Gates). Daher ja schon mehrfach mein Vorschlag LL-MOSFET einzusetzen (z.B: IRL3705N, gibt es bei Reichelt).

  4. #14
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    @ wicked:
    wenn du den irf540n (wie im ersten Post angegeben) verwendest bist du mit dem STrom (33A) an den "absolute maximum Ratings" und die Einschaltspitze wird weit höher sein. Ist zwar die Dauerstromangabe aus dem DB, aber wir wissen ja nicht wie lang dein Impuls ist.

  5. #15
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    noch was vergessen.Bei rund 70 W Verlustleistung hast du doch hoffentlich einen Kühlkörper am MOSFET.

  6. #16
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    Ich denke ich werde auf so einen LL-Mosfet zurückgreifen. aber die frage ist wo ist bei mir der fehler (ehrgeiz nervt manchmal) Gatespannung beträgt 10V, das sollte eigentlich mehr als genügen.

  7. #17
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    auch dein impuls? Mit dem Oszilloskop gemessen? Wie lang ist der Impuls?????

  8. #18
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    so jetzt. also der impuls ist 100ms. jetzt geht es auch (Handisch) lag an dem vorwiderstand. hab jetzt einen 0,05ohm widerstand drin.
    war auch irgendwie klar wenn man sich die rechnung anschaut.
    Rspule=0,3ohm, Ub=12V, Imax=30A
    I=12V/0,3Ohm=40A -> Schaltnetzteil gibt aber nur 30A ergo Spannung bricht ein

    Jetzt da alles in Reihe ist Rges=Rvor+Rspule=0,05+0,3=0,38Ohm
    I=12V/0,38Ohm=31,5A
    Wenn ich den Vorwiderstand auf 0,07Ohm setzte komm ich genau auf 30A

    Bezüglich Verlustleistung. Wenn ich mit P=I*I*R rechne komm ich auf 39,6W| Rds=0,044Ohm
    Wie komm ich auf 70W??

    Mfg FLo

  9. #19
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    Habe einfach deine Werte verwendet. Wenn 2,1V über dem Transistor abfallen und das bei 33A, dann sind das knapp 70W die er verheizen muß.

  10. #20
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    schau dir mal im DB das Diagramm zur "Maximum Safe Operating Area" geht nur bis zu 10ms Impulsen und da bei 12V nur 10A. Wenn du dabei bleiben willst mußt du wohl die Impulsdauer verkürzen.

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