MOSFET H-Brücke wird zu heiß

[altekischt]

ich habe 220V effektiv also 311V spitze... Das ist halt schon echt viel oder?

[Hubert.G]

Auf die Spannung habe ich da zu wenig geachtet. Da bleiben nur noch fast/ultrafast für den Freilauf.
20kHz sind mit der hohen Spannung dann auch schon sehr viel. Es muss dann schon alles passen, auch die Gatetreiber müssen optimal sein.

[PICture]

ich habe 220V effektiv also 311V spitze... Das ist halt schon echt viel oder?

Man kann auch mehrere Schottky Dioden (D) für niedrigere Spannung mit paralellen Widerständen (R) zum Ausgleich der Rückwertspannung seriell verbinden (siehe Code). Durch die paralelle Widertände muss ein paar mal grösserer Strom als durch die Dioden in Sperrrichtung fliesen und sie müssen entstehende Verluste ertragen können (Leistung).

Um ganz sicher zu sein, sollte man die Rückwertsspannungen an den Dioden kontrollieren.

                 R       R             R       R
                ___     ___           ___     ___
             +-|___|-+-|___|-+- - - -|___|-+-|___|-+
             |       |       |             |       |
          m*IV   U   |       |             |       |
             |------>|       |             |       |
     - o-----+-<-->S-+--->S--+- - - -->S---+-->S---+-----o +
       A       I  D      D             D       D         A
       |                                                 |
       |                       n*U                       |
       |------------------------------------------------>|

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[ManuelB]

Auf alle Fälle sollten die Mosfets, zumindest zum Ausschalten, niederohmig angesteuert werden. Gegebenenfalls auch auf Schwingungen achten. Gerade bei Induktiven Lasten in verbindung mit schnellem Schalten auf Spannungsspitzen achten. Überspannungen mit avalange der Transistoren heizt diese auch auf. Ev. Snubber um transiente Spitzen und hochfrequente Schwingungen zu unterdrücken. Am besten mal alle relevanten Größen oszillografieren (Drain Source und Gatespannung). Dann kann man ev. besser erkennen woran es liegt.

MfG
Manu

[PICture]

Um ein MOSFET schneller abschalten/sperren zu können wird üblicherweise paralell zum serielen Gatewiderstand (R) ein Kondensator (C) verwendet (siehe Code).

              C

             ||
          +--||---+    |
          |  ||   | ||-+
          |  ___  | ||<-
     -----+-|___|-+-||-+
                       |
              R       ===
                      GND

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[ManuelB]

Gut ich kenne eher die Variante mit einer Diode. So lassen sich auch unterschiedliche Zeiten für Ein- und Auschalten realisieren. Möglich sind auch Varianten mit einem zuätzlichen Transistor, der beim Ausschalten den FET herunterzieht. Dann müsste das nicht der IR übernehmen bzw. nicht so viel (Transostor ist Quasi Stromverstärker).
Ich musste zumindest feststellen, das das Einschalten über einen etwas hochohmigeren Widerstand EMV-technisch besser ist (so im Bereich 47-100 Ohm), da sonst Schwingunge beim Einschalten auftreten die leider bei der EMV Messung negativ auffallen . Vom Wirkungsgrad gab es keine erkennbaren Unterschiede bzw. verloren sie sich unter den Messungenauigkeiten. Ausschalten tue ich aber immer schnell und weitaus niederohmiger. Allerdings arbeite ich zurzeit nur mit Flybacks im Bereich 100W.
Bei leistungsstärkeren Geräten wird aber auch niederohmiger Eingeschaltet. Sind dann aber auch andere Topologien.

MfG
Manu