Leistungsendstufe für einen Gleichstromsteller

[ManuelB]

Hallo,
bei Brücken-Anwendungen mit mehr Spannung würde ich zu "fertigen" Ansteuer ICs raten. Es gibt z.B. von International Rectifierer oder von Fairchild oder von ST Ansteuer ICs für Halbbrücken. Diese sind vielfach von den Eingängen her logikkompatibel und habe nützliche Funktionen wie Totzeiten zischen dem Umschalten (verhinderung von Brückenquerstrom/Kurzschluss durch gleichzeitiges leiten eines Brückenzweiges), Unterspannungsabschaltung usw.

Ansonsten Muss man alles bei der Ansteuerung selber beachten. P-Kanal lassen sich über einen entsprechenden Levelshift ansteuern. Hier sind z.B. grundlegende Ansteuermöglichkeiten für P und N-Kanal. Feinheiten muss man dann aber immernoch beachten. Z.B. muss beim Bootstraping die Diode zum laden des Bootstrapkondensators eine entsprechende Spannungsfestigkeit aufweisen. Ev ist auch ein Vorwiderstand notwendig, um die Diode nicht mit Ladestromspitzen zu überlasten usw.

MfG
Manu

[altekischt]

Ja ist das sehr kompliziert wenn ich die ansteuerung selber machen möchte? ich weis leider nicht ob ich ein solches fertiges Ansteuer ICs verwenden darf. Ich habe leider wenig ahnung in diesem Gebiet :P

Wie funktioniert dieses Bootstraping eigentlich? Ich habe mir das mal nachgelesen aber ich verstehe den sinn und zweck nicht dahinter.

Mfg

[ManuelB]

Hallo,
wenn man für den Highside Fet einen N-Kanal verwendet, benötigt er zum durchschalten ein positives Gate-Source Signal (typisch verwendet ca. 8-15V damit er richtig durchsteuert mit einem Limit bei ca. 18-20V). In der Highside Anwednung kommt es aber in Betriebszuständen vor, dass das Potential an Source der Höhe der Betriebsspannung entspricht. Also benötigt man zum durchsteuern ein floatendes potential, das gegenüber Source immer ca. 8V größer ist. Dies erreicht man daruch , dass der Bootstrapkondensator während der Sperrphase des Lowside Fet auf ca. 8-15 über dei Diode geladen wird. Geht nun das Source Potential nach oben (wo auch der Kondensator dran angreift) wandert das Potential mit. D.h. + am Bootstrapkondensator ist immer 8-15V über dem Source Potential. Somit kann der Fet immer sicher durchgesteuert werden. Einen Makel hat es aber. 100% Einschaltdauer des Highside Fet geht nicht, da der Kondensator nachgeladen werden muss was nur während der Leitendphase des Lowside Fet passiert. Für 100% ED benötigt man eine potentialgetrennte Ansteuerung z.B. über einen Übertrager, der die 8-15V potentialgetrennt zu verfügung stellt.

MfG
Manu

[altekischt]

vielen dank für die ausführliche antwort echt top ich versuch dann mal mein glück

[ManuelB]

Edit:
Oh, man muss an Alterswahnsinn oder allgemeiner Idiotie liegen.
Wegen der 100% ED. Der Bootstrapkondensator braucht einfach Phasen zum nachladen. Das geht aber nur bei abgeschaltetem Highsidefet. Also am besten mit den oberen PWM (nur eben keine 100% Tastverhältnis) und die unteren zum Richtungswechsel.
Oder z.B. einen kleinen Übertrager 1:1 oder 1:2 (je nach Ansteuerung) verwenden mit 12V Rechteckspannung am Eingang und dann sekundär gleichrichten. Daa hätte man eine potentialgetrennte Spannung die 100% ED ermöglicht.

MfG
Manu

[altekischt]

okay okay du hast jetzt ganz schön viel geschrieben :P

ich muss mich da erst reinarbeiten und mir das durchdenken aber wenn ich fragen habe komme ich auf dich zurück

und danke nochmals

[altekischt]

ich habe hier eine alternative mit pkanal mosfets, sind diese leichter anzusteuern als die nkanal mosfets? da ich ja hier keine schwimmende sondern einen festen bezugspunkt habe. Wenn ja wie bewerkstellige ich das?

also für die unteren beiden mosfets benötige ich ja so ca 15 V Spannung am Gate und bei den oberen Betriebsspannung - 15V am Gate oder (also in meinem fall 220V - 15V = 205V)?

Mfg