MOSFETs berechnen

[PICture]

Hallo!

Nein, wegen einer Überdimensionierung ist mir bisher kein Bauteil gestorben, bin aber kein Wissenschaftler, nur Praktiker.

[dagegen]

Hi,

Bei FET´s ist das Problem wie schon erwähnt nicht der geschaltete Zustand, sondern der Übergang von dem durchgeschalteten Zustand zu dem hochohmigen Zustand.
Geht dieser Vorgang zu langsam ab, zu langsam ist in der Kategorie schon wenige mSekunden bei häufiger wiederholung, dann wird dein FET zu einer Heizung und brennt dir mit Sicherheit irgendwan durch.

Der IRF540 ist an sich ganz nett, hat allerdings mit fast 2000pF eine rießige Gate-Kapazität (Input-Capacitance). Hierbei gilt, weniger ist mehr, denn je kleiner eine Kapazität, desto schneller ist Sie aufgeladen. Dieses Problem wird mit ansteigender Frequenz dramatischer, bedingt durch die häufiger Umladung der Gate Kapazität.

Der A3989 ist zwar laut Datenblatt recht zügig, was das auf bzw. zuschalten der FETs angeht, allerdings ist dabei eine deutlich kleiner Kapazität angesteuert worden. Der hohe Innenwiderstand des A3986 bereitet mir in dem Fall etwas Sorgen.

Um dieses Problem zu umgehen benutzt man bei starken Mosfets sogennante Mosfet-Treiber, die große Impulsströme(mehrere Amperé) liefern können, um so dass Gate so schnell wie irgend möglich umzuladen und somit den Mosfet schnell in die beiden Problemfreien Zonen zu befördern.

[Besserwessi]

So direkt hat eine hohe Spannungsfestigkeit des MOSFETs keinen Nachteil. Der kommt indirekt: MOSFETs mit hoher Spannungsfestigkeit haben bei gleichem Ron in der Regel eine höhere Kapazität, weil sie einfach intern größer sind. Der IRF540 ist auch noch ein eher alter Typ - da könnten neuere besser sein.

Ob man externe Dioden braucht, hängt von der Schaltung ab. Teils werden die FETs auch aktiv eingeschaltet und die Dioden sind dann nur noch als Reserve bzw. für eine kurze Überganszeit da. So viel schlechter sind die Dioden in den FETs auch nicht, als externe Dioden - wenn Geld knapp ist, aber platz und Leistung über ist, gehen auch die internen Diode.

Das A3989 IC paßt irgendwie weder zu 48 V noch zu externen MOSFETs.

Edit:
Der A3986 paßt schon zu 48 V und MOSFETs. Ob der Strom reicht müsste man sehen.

[irrenhaus]

Hallo,

danke für die Erklärungen. Ich werde mich mal nach anderen MOSFETs umsehen, die eine möglichst geringe Gate-Kapazität haben.

Vielen Dank und
MfG
Nils

[Crazy Harry]

Ich habe hier ein paar nette kleine (S08-Gehäuse) n-Kanal-FETs mit 25mOhm bei UGS=4.5V und max. 11A. Mit denen regle ich eine Motorradgriffheizung mit 6A und PWM @ 200 Hz Warm werden die überhaupt nicht.