Kühlkörperauswahl so richtig?

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Hallo,

@PICture: danke für die praktischen Tipps!

Ich habe noch nie rechnerisch einen Kühlkörper bestimmt. Zum Experimentieren brauch ich aber irgendeine Grundlage und kann dann mit zB Fingerkontakt überprüfen ob das Ding dann doch zu heiß wird oder der Kühlkörper und eventuell auch das Gehäuse kleiner gewählt werden kann.

Bevor ich den IRLZ34N gewählt hatte, habe ich einen ausgeschlachteten MOSFET mit 0,5 Ohm Rds(on) durchgerechnet und bin da auf eine Wärmeleistung von 24 Watt gekommen. Das hätte einen erheblich anderen Kühlkörper erfordert. Bei meiner Unerfahrenheit hätte ich mich da sicher grob verschätzt.

Wenn d1 MOSFET (vermutlich laut deiner Beschreibung) mit dauerstrom arbeitet, entspricht es der "A" Klasse. Weil die fast permanent entstehende Wärme immer fast gleich ist, wird ein sehr gut leitender Kühlkörper (z.B. Kupferblech) gefragt

Ja, der MOSFET soll ca. 10A Dauerstrom aushalten. Abgesehen von der praktischen Erprobung gehe ich doch davon aus, daß die Angabe des Wärmewiderstandes bei einem gekauften Kühlkörper stimmt und ich nicht noch extra auf "sehr gut leitender" achten muß ?

Wo ich mir sehr unsicher bin, ist die zu wählende Junction Temperatur. Das scheint mir schon eine wichtige Größe zu sein Nimmt man da die maximale im Datenblatt angegebene für die Rechnung und rechnet später beim Kühlkörper nach Faustformel eine Sicherheit ein (wenn ja, welche) oder bei der Junction Temperature schon zB 50% des max. Wertes nehmen?

Gruß
Searcher

[PICture]

Das ist die beste Methode: zuerst möglich realistisch abschätzen und anschliessend praktisch ausprobieren. Bei den fertigen Kühlkörper müssen die angegebene Parameter schon stimmen (an irgendwas muss man doch glauben dürfen, sonst wurde ich mir k1e Spritze mehr erlauben, seit AIDS bekannt ist. ).

Aus meiner bisherigen Wissen und Erfahrung, darf man annnehmen, dass mit optimalem realem Kühlkörper ohne Lüfter man nicht mehr als 1/3 der im Datenblatt angegebenes Ptot ausnutzen kann, also um 23 W für IRLZ34N). Bei von dir ausgerechneter Velustleistung wird die Wärmeabfuhr hauptsächlich per Wärmewiderstand des Gehäuses zwischen Kühlkörper und Umgebung definiert, und das musst du eventuell messen/ermitteln versuchen. Über "junction temperature" habe mir bisher keine gedanken gemacht, weil sie sowieso real nicht messbar ist.

In der Praxis enden die Berechnungen für Kühlung leider nicht auf dem Kühlkörper.

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...dass mit optimalem realem Kölkörper ohne Lüfter man nicht mehr als 1/3 der im Datenblatt angegebenes Ptot ausnutzen kann

Danke für Ptot - danach wollte ich schon fragen.

Im Datenblatt unter "Absolute Maximum Ratings" ist wohl statt Ptot ein "Power Dissipation" bei 25°C von 68 Watt angegeben und ein "Linear Dearating Factor" von 0,45W/°C.

Wenn ich das richtig verstehe? bedeutet das bei 100° Junction Temperature (übernommen von meiner ersten Rechnung):
100°C - 25°C = 75°C
75°C * 0,45W/°C = 33,75W
68W - 33,75W = 34,25W

Bei 100°C Junction Temperature soll man also nicht mehr als 1/3 davon, also 34,25W / 3 = 11,42 Watt Verlustleistung im MOSFET erzeugen.

Mit meinen 3,3 Watt bin ich davon noch weit entfernt und möchte natürlich einen ausreichenden aber natürlich möglichst kleinen Kühlkörper nutzen.

Ist das so richtig und bezieht sich "Power Dissipation" bzw. "Ptot" auf die "Junction", Junction verstehe ich als den Kern des FETs?

Gruß
Searcher

[PICture]

Mit meinen 3,3 Watt bin ich davon noch weit entfernt und möchte natürlich einen ausreichenden aber natürlich möglichst kleinen Kühlkörper nutzen.

Würde ich ja sagen. Ohne mich in unnötige Berechnungen zu vertiefen, würde ich (ohne Gewähr) sagen, dass es passt. Ich glaube sogar, dass d1n MOSFET sich sogar ohne Kühlkörper (ausserhalb des Gehäuses) auf lebensgefährliche Hitze nicht beschweren dürfte.

Ist das so richtig und bezieht sich "Power Dissipation" bzw. "Ptot" auf die "Junction", Junction verstehe ich als den Kern des FETs?

Ja, sicher.

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Vielen Dank PICture!

Zur Abwechslung mal was Praktisches:



Das ist ein mit IR-Fernbedienung betätigter Schalter mit 3 schaltbaren Stromkreisen und Dämmerungsschalter - µC gesteuert wg einfacher RC5 Auswertung der FB. An einen Schalter soll die Pumpe dran. Weil ich die IRLZ34N noch nicht habe, traue ich mich noch nicht eine hohe Last anzuschalten, da die verwendeten MOSFETS vermutlich sicher nicht durchhalten (und mein Netzteil nur 3A liefert - wird später mit Autostarterbatterie betrieben)

Ihr seht also, die Junction Temperatur liegt mir schon am Herzen

Gruß
Searcher

[Besserwessi]

Die Rechnung oben ist schon recht gut. Meist wird der On Widerstand der MOSFETs bei 25 C angeben. Bei 100 C Junction Temperatur kann das schon noch etwas mehr werden. "Nur" bis 100 C an Junction Temperatur zu gehen ist OK, auch um etwas Reserve zu haben. Bei einem offenen Aufbau wäre ggf. 60 Grad als Maximale Temperatur für den Kühlkörper eine andere Sinnvolle Grenze (da kann man sich noch nicht so richtig dran verbrennen).
Die Wärmewiderstände der Kühlkörper sind nicht so genau zu bestimmen, die hängen u.A. von der Einbaulage ab und der Zusammenhang Leistung - Temperatur ist nicht zu 100% linear.

Ohne Kühlkörper wird das dem FET im TO220 aber wohl schon zu heiß - da hat man rund 60 K /W, käme also bei 3,3 W auf rund 200 K über Umgebungstemperatur.

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Vielen Dank Besserwessi,

jetzt weis ich, das ich da keinen grundsätzlichen Fehler drin habe.

Bei einem offenen Aufbau wäre ggf. 60 Grad...

Das Foto stellt den Probeaufbau dar und die Schaltung soll später strapazierfähig in einem Gehäuse für den Outdoor Einsatz untergebracht werden. Wie auch PICture schon geschrieben hat, werd ich auf jeden Fall die angenommene Umgebungstemperatur von 40° nochmal überdenken.

Gruß
Searcher