Schaltfrequenz & Strombegrenzung verbessern

[Hubert.G]

Nein, das ist kein Fehler. Die beiden Widerstände R10 und R10x sind für eine gleichmässige Stromaufteilung auf die beiden FETs notwendig.
Die Leitung die von R10 weggeht ist für die Stromüberwachung.

[TheTeichi]

dann würde die strombegrenzung aber nur für den einen zweig gelten oder? weil der zweite ist dann nicht einmal damit verbunden

[TheTeichi]

wäre es überhaupt falsch wenn ich diese verbindung mache...sagen wir es einmal so....

[Hubert.G]

Die Strombegrenzung ist für beide Zweige aktiv, nur die Überwachung wann die Strombegrenzung einsetzen soll, wird nur von einem Zweig genommen.
Diese Verbindung wäre falsch. Die Stromaufteilung auf die beiden FETs würde nicht mehr funktionieren.

[TheTeichi]

Kannst mir das genauer erklären? Ich bin da sehr neugierig

Lg

[021aet04]

Jedes Bauteil ist einzigartig. Die Kennwerte liegen bei jedem Bauteil in einem bestimmten Bereich (bei Widerständen hat man die Toleranz in Prozent). Wenn man jetzt die beiden Fets direkt verbindet hat ein Fet einen etwas höheren Widerstand und der andere einen niedrigeren. Dadurch sind die Ströme durch die Fets unterschiedlich. Dies gleicht man mit den Widerständen etwas aus.

Einige Bauteile bekommt man speziell gepaart. Diese haben fast die gleichen Eigenschaften und sind speziell dafür ausgewählt (sind auch teurer als normale). Dies ist aber eher für Messgeräte,... wo es sehr genau sein muss gedacht.

MfG Hannes

[Hubert.G]

Wenn an beiden FET die gleiche Gatespannung anliegt fließt, aufgrund Fertigungstoleranzen, durch Drain-Source trotzdem nicht der gleiche Strom.
Wenn sich der FET, der mehr Strom übernimmt erwärmt, verringert sich der Innenwiderstand und der Strom steigt noch weiter an. Im ungünstigsten Fall geht das bis zur Zerstörung.
Durch den Spannungsabfall am Widerstand in der Source-Leitung verringert sich die Gate-Source-Spannung und damit auch der Strom durch den FET.
Auf diesem Weg wird verhindert das ein FET den Großteil des Gesamtstrom übernimmt und dadurch möglicherweise den Hitzetod stirbt.

[BASTIUniversal]

Hallo!

Wenn sich der FET, der mehr Strom übernimmt erwärmt, verringert sich der Innenwiderstand und der Strom steigt noch weiter an.

Diese Aussage stimmt für FETs leider nicht. Bei FETs steigt der Innenwiderstand mit steigender Temperatur.
Beispiel IRF1404:
T=20°C R=100%
T=100°C R=148%

Der Anstieg des Widerstands reicht aber meistens nicht aus um die Fertigungstoleranzen auszugleichen.

Für Bipolartransistoren stimmt die Aussage aber. Dort übernimmt der wärmere Transistor noch mehr Strom und kann so durch Überhitzung zerstört werden.

Gruß
Basti