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Thema: High-Side Schaltung mit Mos-Fet

Hybrid-Darstellung

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  1. #1
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    Also nun mal ganz von vorne.

    Der Grund warum ich die Versorgung der Speicherkarte schalten möchte ist der Stromverbrauch, der liegt bei ca. 250 uA wenn nicht gelesen oder geschrieben wird. Da ich die Speicherkarte nur ca. alle 20 Tage beschreiben muss finde ich die 250uA etwas viel, da der Rest der Schaltung nur ca. 130 uA braucht.

    Wichtig ist hald dass die Speicherkarte ca. 3-3.3 V bekommt und sollte stabil sein.

    Habe das ganze auch mit MOS-Fet versucht, jedoch get da die Schaltung nur wenn die Last Spannung die ich schalten möchte etwas höher als 3.3 V ist.

    Den Last Widerstand im Bild 33 Ohm kenne ich auch nicht sicher, habe einfach 3.3V/ 100mA gerechnet >.>

    So habe ich das mit den Mos-Fets versucht Bild im Anhang

    Gruss und Danke
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  2. #2
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    Der MOSFET kann bei so niedrigen Spannungen zwischen Gate und Source noch gar nicht richtig durchschalten. Du brauchst einen Logic Level FET, der auch schon mit so geringen Spannungen auskommt.
    Siehe http://www.mikrocontroller.net/artic...mente#P-MOSFET

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