Als MOSFET-teiber sind meisten OPs etwas langsam. Dazu kommt dann noch der meist auf etwa 20 mA beschränkte Strom.

Wenn man den Drahtdurchmesser halbiert, kreigt man den 4 fachen Widerstand: je ein Faktor 2 wegen der Länge und dem Querschnitt.


Bei den MOSFETs sind immer prasitöre dioden mit drin. Die sind an sich nicht extra gewollt, entstehen aber. Bei den neueren MOSFETs hat man sich miestens etwas Mühe gegeben, und die internen Diode sind nicht so schlecht. Externe Shottkydioden sind besser, aber es geht auch mit den internen. Mit externen Dioden hat man den Vorteil, dass man die Verlustleistung etwas verteilt.