Das Problem mit der high side haben die ersete Schaltung und die mit den Bipolaren transistoren (30.8. um 22:16). Den letzen Post habe ich wohl übersehen.

Die Schaltung mit P und N Mosfets ist deutlich besser. Da ist nur die Wahl der Freilaufdioden falsch. Die 1N4003 sollte man besser weglassen, die Bodydioden der MOSFETs sind besser - so langesame wie die 1N400x gibt es da wohl nicht. Wenn man extra Freilaufdioden haben will, dann schnelle Dioden. Die ansterung der P MOSFETs ist auch ziehmlich langsam - da wäre zu überlegen PWM nur mit den N MOSFET zu machen und auf der High side-den Strom über die Freilaufdiode zu schickt. Vor allem solange das Timing nicht gut ist, sollte man es so machen.

Vor das Gate der N MOSFETs sollte noch ein Widerstand mit Diode Parallel, um für ein schnelles ausschalten und ein etwas langsameres einschalten zu sorgen.