Bei dem Puls treten sehr hohe Transidenten auf (di/dt). Das muß dein Ziel-Bauteil aushalten, und deutlich mehr. Es gibt dafür "normale" MOS-Driver mit 1...1,5A wie auch sehr leistungsstarke mit 9A Gatestrom. Ein Derivat für große Gate-Ströme wäre z.B. von TI der UCC37322 bzw. die inverse Version UCC37321.
Als Freilauf solltest du dir eine Diode mit sehr schnellem Schaltverhalten und hoher Pulsfestigkeit besorgen (z.b. eine MUR3060 wennn man es dicker konstuieren will für Experimente).
Transistor geht auch, aber dann mußt du an die ca. 0,1V in seiner Sättigung denken die über Uce abfallen, also 60A * 0,1A = 6W + Schaltflaken-Verluste. Und dazu brauchst du enormen Strom der den Transistor dazu treibt. Wenn er beispielsweise eine hfe von 80 hat, dann solltest den ca. 5-fach übersteuern, also 60A / 80 * 5 = 3,75A. Das sollte deine Basis mindestens solide bekommen um den Transistor nicht abzuschießen.