Ich würde das mit der Gate-Kapazität nicht überbewerten. Ein relativ grosszügig dimensionierter Mosfet ( IRL3803) hat eine Gate-Ladung von 140 nC. Bei einem Gate-Strom von 0.1A hat man also eine Gate-Umladezeit von 1400 ns. Wenn man mal dise 1400 ns als Schaltzeit annimmt (in der Realität ist die Schaltzeit noch etwas kleiner, siehe Datenblatt), dann kommt man auf eine Verlustenergie von 0.5 * 1400 ns * 25V * 60A ~ 1 mJ für das Abschalten (das Einschalten führt wegen der Induktivität der Spule zu keiner nennenswerten Verlustleistung). Das ist für den Mosfet auf jeden Fall noch im grünen Bereich. Hoher Gate-Strom wird eigentlich nur dann benötigt, wenn der Mosfet mit hoher Frequenz betrieben wird, da dann diese Umschaltverluste viele tausend mal pro Sekunde entsteht und somit doch ins Gewicht fällt.