Gut, das bringt mich schon ein Stück weiter.

Ich habe mal im Artikelbereich den Abschnitt zur Darlingtonschaltung gelesen. Da steht, dass der von PICture vorgeschlagene Widerstand zwischen Basis und Emitter des Schalttransistors dazu dient, den Leckstrom zu verringern. Kann ich mir das so vorstellen, dass der durch den Optokoppler kommende Leckstrom dann durch den Widerstand anstatt durch die Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors fließt und dieser so weniger stark, im besten Fall also garnicht durchschaltet?
Wie muss dieser Widerstand dimensioniert sein?

Nun zur Auslegung der restlichen Bauteile:

Im Datenblatt des Transistors (BD410) ist eine Basis-Emitter Sättigungsspannung von 1,5 V angegeben; ich denke mal das ist der Wert den ich suche.

Im Datenblatt vom Optokoppler (LTV- 354T) bin ich noch nicht ganz sicher, wie groß der Spannungsabfall am Transistor im durchgeschalteten Zustand ist, wie heißt dieser Wert? Wenn es die Collerctor-Emitter Sättigungsspannung ist, dann sinds maximal 0,2 V.

Also brauch ich eine Zenerdiode mit mindestens 1,7 V Durchbruchspannung, ist das so richtig?

Es kann wahrscheinlich nicht schaden, wenn die Zenerdiode eine etwas höhere Durchbruchspannung hat, denn wenn der Kondensator auf eine höhere Spannung aufgeladen wird, ist ja durch
C = Q / U
die Ladung höher und ich könnte die Kapazität verringern um den gleichen Strom für den Transistor zu bekommen.
Das würde dann durch
tau = R * C
die Ladezeit verkürzen.

Dazu muss ich aber erstmal den Widerstand herausfinden, der nötig ist, um meinen Canon Blitz gerade so nicht zu triggern. Ich werde einfach mal ein Poti an den Trigger anschließen und gucken, wann es blitzt.

Vielen Dank nochmals für die kompetente und schnelle Hilfe!