Also nehmen wir an wir haben folgende Schaltung (weiß nicht ob die Werte für die Widerstände stimmen aber das ist für die Funktionweise egal)

Bild hier  

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Sobald du den Schalter S1 schließt, liegt zwischen Basis und Emitter eine Spannung an (wenn du dich an das Diodenersatzbild erinnerst dann ist die Diode zwischen Basis und Emitter in Durchlassrichtung geschaltet).
Dieses anlegen der Spannung dafür das die neutralen Schichten zwischen den P-und N -Schichten (Diese entstehen, weil in der P-Schicht Löcher sind und in der N-Schicht zuviele Elektronen dann wandern ein paar Elektronen aus der N-Schicht zur P-Schicht und dadurch entsteht dann eine neutrale Schicht die als Sperre dient, ähnlich wie bei einer Diode) mit Löchern aus der P-Schicht aufgefüllt. Dies hat zur Folge das Elektronen von der Emitterschicht zur Basisschicht fließen können, weil die neutrale Zone die als Sperre gilt nun weg ist. Dann wird auch die Basisschicht (die P-Schicht) mit Elektronen aufgefüllt und da diese viel dünner ist als die N-Schichten, wandern die meisten Elektronen (99%) in die Sperrschicht zwischen Basis und Collector und überfluten diese dann. Sobald das geschehen ist, ist die neutrale Zone zwischen Basos und Collector ebenfalls weg und auf dem Ersatzschaltbild mit den zwei Dioden würde die Diode zwischen Basis und Collector leitend werden (nun siehste auch wieso das Bild eigtl doch nicht so super ist).

Hier nochmal ein Bild das nochmal bildlich zeigt:
http://de.wikipedia.org/w/index.php?...20090815091035

Und deswegen musst du vor die basis und vor dem Collector auch einen Widerstand machen. Weil ohne Widerstände würde der Collector einen Kurzschluss schalten und er würde durch die Hitze zerstört werden.
Die "Hauptfähigkeit" eines Transistors ist eigentlich die das er mit einem ganz kleinen Strom an der Basis und Emitter einen viel größeren Strom zwischen Collector und Emitter schalten kann.
Das Verhältnis aus Collectorstrom/Basisstrom wird Verstärkungsfaktor genannt.
Ein Transistor mit einem Verstärkungsfaktor von z.B. 500 kann theoretisch(!) mit einem Strom von 1mA an der Basis, 500mA am Collector schalten.

wie sind die den optimiert?
Das sind die P und N Dotierungen nehm ich mal an.