Hallo!
IGBTs sind bei diesen Spannungen noch total uninteressant. Die werden erst ab etwa 250V Betriebsspannung effizienter als FETs (Quelle: Mikrocontroller.net).
An IGBTs fällt eine Spannung über Uce ab, wie bei einem "normalen" Transistor. Das sind in der Regel um die 2V:
P = U * I = 2V * 40A = 80W bei PWM = 100%
Bei einem FET wie dem IRF1404 mit 4mOhm Rds_on:
P = I² * R = 40A² * 0,004Ohm = 6,4W

Wie beim FET kommt es beim IGBT zu Umschaltverlusten.

Interessant währen zum Beispiel FETs wie der IRLR3114Z. Der hat einen Rds_on von 4,5mOhm und eine Qg_typ von 40nC.
Weitere Infos bekommst du auf den Herstellerseiten (z.B. www.irf.com, www.fairchildsemi.com).
Interessant zum lesen sind noch:
-http://www.mikrocontroller.net/articles/IGBT
-http://www.mikrocontroller.net/articles/FET
-http://www.mikrocontroller.net/artic...%C3%9Cbersicht

Gruß
Basti