[H-Brücke] Wozu Hysteresen-Steuerung?

[Rodney]

Die bootstrap Dioden sind falsch herum.
Häufig findet man auch Widerstände vor dem Gate im unteren zweistelligen Ohmbereich. Das soll wohl den Serienschwingkreis aus Gatekapazität und induktiver Zuleitung soweit bedämpfen, damit das Gatepotential nach einem Umschaltvorgang genauer definiert ist. Eine verringerte Anstiegszeit der Gatespannung wird dabei in Kauf genommen.

Stimmt, die Dioden waren wirklich falsch herum.
Vor die Gates schalte ich jetzt noch jeweils 6.8 Ohm Widerstände.

Vergleiche mal Deine Schaltung mit dieser

Was mir hier nicht ganz klar ist, warum schaltet der Ersteller parallel zu den Gatewiderständen die Zenerdioden? So wird ja augenscheinlich der Gatestrom über die Zenerspannung limitiert. Warum?


Ich verwende nun als Treiber den HIP4081A, da ich die Strombegrenzung nicht brauche. Hierbei wird die linke Brücke als Richtung verwendet, daher ist entweder immer High oder Low; die rechte Seite wird über PWM angesteuert.

Meint ihr, die aktuelle Schaltung (siehe Anhang) kann so schon funktionieren? Wirkungsgrad ist erst einmal vernachlässigbar, es muss nur stabil laufen

Viele Grüße,
Rodney

[molleonair]

Über dem Gate liegen keine Zener Diode sondern Schottkydioden
diese sollen den Abbau der Gatespannung beschleunigen

[Rodney]

Über dem Gate liegen keine Zener Diode sondern Schottkydioden
diese sollen den Abbau der Gatespannung beschleunigen

Okay, verstehe ich es also richtig, dass man hier
a) eine Diode verwendet, um beim Abbau der Gatespannung den Widerstand "brücken" zu können, dh. der parallel ohmsche Widerstand wirkt nur beim Aufbau der Gatespannung um einen Schwingkreis zu verhindern

b) man verwendet eine Schottky-Diode aufgrund des kleinen Spannungabfalls sowie der schnellen Recovery-Time?

Vielen Dank schonmal!

[molleonair]

ja genau so

somit ist beim Umpolen der Brücke der eine FET schneller gesperrt als der andere leitet.Es wird so also eine kleine totzeit zur sicherheit gegen Querströme eingebaut.
Wobei man das glaub ich beim HIP gar nicht bräuchte der hat sowas schon integriert (einstellbare deadtime)

schönen Abend noch

PS
gib mal Bescheid wie die Brücke läuft.Hab auch mal eine mit dem HIP angefangen bin aber dann auf IR3313 umgestiegen

[Rodney]

t.Es wird so also eine kleine totzeit zur sicherheit gegen Querströme eingebaut.
Wobei man das glaub ich beim HIP gar nicht bräuchte der hat sowas schon integriert (einstellbare deadtime)

Genau, die dead-time kann man schon über einen Widerstand an den Mosfet anpassen. Nagut, aber ist ja nicht schlecht, wenn er möglichst schnell abschaltet

Ich werde mich mal melden, wenn das ganze aufgebaut ist.