Ich finde folgendes Datenblatt:
http://www.intersil.com/data/fn/fn3658.pdf
sowie folgende Appnote:
http://www.intersil.com/data/an/an9404.pdf

Hm, im Datenblatt klang es eher so, als wenn es dabei um eine Minimierung der Schaltverluste geht? AN9404.3 hat folgendes geschrieben::

One advantage of this (-> der Hysterese-Steuerung) is that when currents are largest, switching losses are a minimum, and when switching losses are largest, the dc current component is small
Diesen Satz kann ich im verlinkten DB nicht finden, es gibt wohl verschiedene Versionen. Ich kann auch nicht unmittelbar einsehen, warum es verlustärmer sein soll hohe Ströme zu schalten als kleine Ströme.

"Hysteresis mode switching" ist offenbar eine Schaltungsversion, wobei der als "IN" gekennzeichnete Eingang als Analogeingang genutzt wird ist. Je nach vorgegebener Spannung bei IN wird ein Laststrom geregelt. Eine Laststrombegrenzung ergibt sich bei geeigneter Dimensionierung von selbst. Die Regelung erfolgt durch (freischwingendes) Hin- und Herschalten zwischen den Stromrichtungen.
Weder das Datenblatt noch die Appnote sind sonderlich hilfreich bei der Dimensionierung, das soll man sich wohl selbst herleiten.

Hm, laut Datenblatt liefert die interne Ladungspumpe ca. 30uA. Ich verwende als Mosfets den IRF1404, da liegt der "Gate-to-Source Leakage" Strom bei max 200nA. Damit bin ich doch auf der sicheren Seite, dass die Ladungspumpe ausreicht, oder?
Auch hier habe ich schon deutlichere Worte in Datenblättern gefunden, aber mit dem was ich so finde, sehe ich das auch so. Die Bootstrap Diode sorgt dann wohl für den zusätzlichen Strombedarf bei höheren Schaltfrequenzen.