Hallo huesken!

Deine Berechnungen sind nicht ganz richtig. Angenommen z.B. bei einem TIP125 Darlington-Transistor (60 V, 5A in TO-220 Gehäuse) mit ßmin = 1000, den ich selber verwenden möchte haben wir:

Ua = 3,4 V, Ube = 1,4 V, Uz = 2 V -> LM385-Z1,2 mit Trimmpoti

Uav = 3,6 V -> Ur = Uav - Ua = 0,2 V verbleibender Spannungsabfall auf der Rb

Ib = Ic / ßmin, Ib = 0,8 A / 1000 -> Ib = 0,8 mA

Rb = Ur / Ib, Rb = 0,2 V / 0,8 mA, Rb = 250 Ohm -> nächster Wert 240 Ohm

Für normale Transistoren wird der Rb natürlich kleiner, weil sie kleineren ßmin haben. Z.b. für ßmin = 50 werden es nur Rb = 12 Ohm. Verwendung in dieser Schaltung Darlington-Transistoren vermindert den nötigen Basistrom und ermöglichst anwenden grösseren Basiswiderstände, deswegen würde ich es sehr empfehlen.

So wie ich das sehe, verstehst du die Funktionsweise der Schaltung richtig.

Ja, beim "normalen" Transistor und Z-Diode 2,7 V wird der Transistor schon bei 3,4 V gesperrt.

Nach weiteren Überlegungen habe ich festgestellt, dass minimaler Wert vom Rb auch folgendermassen berechnet werden kann: Rb = Ur / Ibmax, was für maximalen zulässigen Basistrom bzw. Durchflussstrom der Zenerdiode z.B. Ibmax = 10 mA und Ur = 0,2 V ergibt Rb = 0,2 V / 10 mA = 20 Ohm. Und dieser Wert wäre nötig um den Laststrom bei sinkender Akkuspannung auf gewünschtem Wert zu erhalten, weil der Transistor sowieso gesättigt werden sollte um den Spannungsabfall auf ihm zu minimalisieren.

MfG