Die gate Threshhold Spannung gibt an ab wann der Fet anfängt zu schalten. Danach nimmt der Strom entsprechend der Steilheit zu. Um dann wirklich in Schaltbetrieb einen niedriegen Widerstand zu bekommen sollte man noch etwa höher in der Gate Spannung sein. Zum Schlaten sollte man als wenigsten ein Spannung haben von:
Threshhold + (max. Strom / Steilheit )
hier also 2 V + 30A/11S, also knapp 5 V.

Für die kurze Zeit (oft unter 1 µs) die man braucht um das Gate zu laden/ entladen, kann der Ausgang mehr als 20 mA leifern. Auch 50 mA wären kein Problem führt aber zu mehr Störungen, und es ist auch nicht sicher das man selbst bei Kurzschluß überhaupt 50 mA rauskreigt. Die Auslegung mit maximal ca. 20 mA ist aber auch nicht so verkehrt.

Bei der Zeit zum umschalten muß man einen Kompromiss zwischen Umschaltverlusten und den Funkstörungen (und was damit an Überschwingern verbunden ist) finden. Auch mit 100 K vor den Gate könnte der FET nach einiger Zeit (ca. 50 µs) schalten.

Ein Schaltzeit von 500 ns ist ein geschätzter Wert für einen braichbaren kompromiss. Ob man jetzt besser 220 Ohm oder lieber 4,7 K nimmt hängt von der genauen Anwendung ab. Irgendwo dazwischen wirds wohl richtig sein. So genau kommt es aber oft auch nicht darauf an.