Für ein wirklich volles Durchschalten braucht man oft mehr als 5 V. Bei den Logic-level Fets kommt man aber mit 5 V immerhin schon etwa soweit das der On Widerstand nur etwa (z.B. 50%) erhöht ist.

Bei dem Datenblatt, das ich habe, ist z.B. Rds(On) für verschiedene Gatespannungen angegeben. Sonst geben gate-Threschhold und Steilheit Aufschluß.

Ein Widerstand vor dem gate sollte fast immer sein, um die mögliche Geschwindigkeit zu begrenzen. Wenn es dumm läuft kann der FET sonst während des Umschaltvorganges anfangen zu schwingen und füchterliche Funkstörungen erzeugen. Gerade wenn man kein HF mäßiges Layout hat also generell mit Widerstand vor dem Gate, wenigstens rund 50 Ohm.
Wenn mehr als einen FET zusammen ansteuert braucht man immer für jedes Gate einen Vorwiderstand, sonst ist ein Schwingen eher die Regel.

Aus der Gate-kapazität mal Widerstand kreigt man größenordnungsmäßig die Umschaltzeit. Hier wäre vermutlich etwa 1 KOhm bzw. 500 ns Umschaltzeit angebracht. Wesenlich unter 100 Ohm sollte man bei AVR eher nicht gehen, damit der Strom nicht zu hoch wird, auch wenn der Ausgang kurzzeitig mehr als die oft zitierten 20 mA vertragen kann.

Der Pulldown dient beim Reset des µC einen definieretn low zustand zu erzeugen etwa 10 K sind schon richtig, wenn nicht extrem mit Strom gespart werden muß (Batteriebetrieb). Den Pulldown eher am µC Pin, nicht direkt am Gate.