Wenn die FETs etwas größer sind (z.B. 20 A) dann wird man mit den 1 KOhm noch kein schneller Ausschalten hinkreigen. Das Schalten auf eine low Spannung am FET, über den Transistor wird sogar eher schneller sein. Man wird dann wohl nicht um wenigstens eine weiteren Transistor (als Emitterfolger) rumkommen. Die Asymetrie in den Schaltzeiten erzeugt man normalerweise durch eine Diode Parallel zu einem Widerstand.

Bei einem N-FET an der high Side muß man aber such noch die Gate-Source Spannung begrenzen. Das macht die Schache doch recht aufwendig. Da nimmt man doch besser fertige Gate Treiber.